|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
11DQ10 |
|
Диод Шоттки (U=100V, I=1.1A, Vf=0.85V@I=1.0A, Vf=0.96V@I=2.0A, -40 to +150C).
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
11DQ10 |
|
Диод Шоттки (U=100V, I=1.1A, Vf=0.85V@I=1.0A, Vf=0.96V@I=2.0A, -40 to +150C).
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
11DQ10 |
|
Диод Шоттки (U=100V, I=1.1A, Vf=0.85V@I=1.0A, Vf=0.96V@I=2.0A, -40 to +150C).
|
EIC
|
4 508
|
11.67
|
|
|
|
11DQ10 |
|
Диод Шоттки (U=100V, I=1.1A, Vf=0.85V@I=1.0A, Vf=0.96V@I=2.0A, -40 to +150C).
|
|
|
28.68
|
|
|
|
11DQ10 |
|
Диод Шоттки (U=100V, I=1.1A, Vf=0.85V@I=1.0A, Vf=0.96V@I=2.0A, -40 to +150C).
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
11DQ10 |
|
Диод Шоттки (U=100V, I=1.1A, Vf=0.85V@I=1.0A, Vf=0.96V@I=2.0A, -40 to +150C).
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N5383B |
|
Стабилитрон 5W, 150V, 5%
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5383B |
|
Стабилитрон 5W, 150V, 5%
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
1N5383B |
|
Стабилитрон 5W, 150V, 5%
|
SMK
|
|
|
|
|
|
1N5383B |
|
Стабилитрон 5W, 150V, 5%
|
DC COMPONENTS
|
1 452
|
11.62
|
|
|
|
1N5383B |
|
Стабилитрон 5W, 150V, 5%
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
1N5383B |
|
Стабилитрон 5W, 150V, 5%
|
|
|
30.00
|
|
|
|
1N5383B |
|
Стабилитрон 5W, 150V, 5%
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
|
|
|
|
|
|
1N5383B |
|
Стабилитрон 5W, 150V, 5%
|
MOTOROLA
|
19
|
|
|
|
|
1N5383B |
|
Стабилитрон 5W, 150V, 5%
|
Microsemi Commercial Components Group
|
|
|
|
|
|
1N5383B |
|
Стабилитрон 5W, 150V, 5%
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N5383B |
|
Стабилитрон 5W, 150V, 5%
|
MICROSEMI CORP
|
|
|
|
|
|
1N5383B |
|
Стабилитрон 5W, 150V, 5%
|
ON SEMICONDUCTOR
|
92
|
|
|
|
|
1N5383B |
|
Стабилитрон 5W, 150V, 5%
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N5383B |
|
Стабилитрон 5W, 150V, 5%
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
2SK2996 |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 10A, 45W
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2SK2996 |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 10A, 45W
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2SK2996 |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 10A, 45W
|
|
|
|
|
|
|
2SK2996 |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 10A, 45W
|
TOS
|
|
|
|
|
|
2SK2996 |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 10A, 45W
|
ГЕРМАНИЯ
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
|
4 320
|
27.14
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
IR/VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
MINOS
|
784
|
38.61
|
|
|
|
С2-10-1-2.21 1% |
|
|
|
|
11.52
|
|