Версия для печати
Технические характеристики ECAP 680/400V 3545 HP3

Производитель	Hitachi AIC Inc.
Количество в упаковке	200 шт.
Вес	70.000 г
Номинальное напряжение	400 В
Срок службы	6000 Ч
Размер корпуса	ф 35x45
Рабочая температура	-40...85 °C
Код производителя	HP32G681MRAS6
Емкость	680 мкФ
Серия	HP3
Корпус (размер)	Snap In
Тип монтажа	Выводной
Тип	Электролитический алюминиевый

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	FAIR
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	PHILIPS
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	NXP
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	MCC
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	FAIRCHILD
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	DC COMPONENTS
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz		22 004	1.86  >100 шт.   0.93
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	FAIRCHILD
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	NXP	1 194
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	PHILIPS	1 354
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	DIOTEC	22 391	2.84
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	KEC
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	LRC	800	5.17
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	HOTTECH	40 000	1.38
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	KLS
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	SEMTECH
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	YJ	93 199	2.07
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	SUNTAN	23 520	1.20
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	SHIKUES	15 105	1.89
		ECAP 470/63V 1321 105C		Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 63 В	JAMICON	56	29.04
		ECAP 470/63V 1321 105C		Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 63 В	JAM
		ECAP 470/63V 1321 105C		Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 63 В			40.00
		ECAP 470/63V 1321 105C		Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 63 В	YAGEO
		IRFD110PBF		Транзистор МОП N-канальный 100В 0,7A 1,3В	VISHAY	272	56.56
		IRFD110PBF		Транзистор МОП N-канальный 100В 0,7A 1,3В	Vishay/Siliconix
		IRFD110PBF		Транзистор МОП N-канальный 100В 0,7A 1,3В	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFD110PBF		Транзистор МОП N-канальный 100В 0,7A 1,3В	SILICONIX
		IRFD110PBF		Транзистор МОП N-канальный 100В 0,7A 1,3В
		IRFD110PBF		Транзистор МОП N-канальный 100В 0,7A 1,3В	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFD110PBF		Транзистор МОП N-канальный 100В 0,7A 1,3В	IR/VISHAY
		MUR460RLG		Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27	ON SEMICONDUCTOR
		MUR460RLG		Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27			34.00
		MUR460RLG		Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27	ONS	4 560	27.01
		MUR460RLG		Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27	ON SEMICONDUCTOR
		MUR460RLG		Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27	ON SEMIC
		MUR460RLG		Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27	ONSEMICONDUCTOR
		MUR860G		Ультрабыстрый диод 600V 8A	ON SEMICONDUCTOR
		MUR860G		Ультрабыстрый диод 600V 8A	VISHAY
		MUR860G		Ультрабыстрый диод 600V 8A	ONS	985	104.25
		MUR860G		Ультрабыстрый диод 600V 8A			76.64
		MUR860G		Ультрабыстрый диод 600V 8A	ON SEMICONDUCTOR	82
		MUR860G		Ультрабыстрый диод 600V 8A	YJ
		MUR860G		Ультрабыстрый диод 600V 8A	ON SEMICONDUCTO
		MUR860G		Ультрабыстрый диод 600V 8A	ONSEMICONDUCTOR
		MUR860G		Ультрабыстрый диод 600V 8A	1

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"