|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
DIOTEC
|
13
|
16.92
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
MASTER INSTRUMENT CO
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
|
13 320
|
3.23
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
1
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
185 298
|
5.02
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
SMK
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
HY ELECTRONIC CORPORATION
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
DI
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
DIOTEC ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
DIOTEC ELECTRONICS CORP.
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
HY ELECTRONIC CORPORATION
|
140
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
120
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
PANJIT
|
85
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
MIC
|
53 524
|
4.43
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
YJ
|
3 904
|
5.94
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
HOTTECH
|
25 354
|
9.66
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
KLS
|
8 000
|
10.33
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
LGE
|
632
|
4.13
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
SUNTAN
|
9 895
|
6.67
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
XSEMI
|
6 810
|
5.62
|
|
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
|
|
32.56
|
|
|
|
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
EIC
|
|
|
|
|
|
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
PH / NXP
|
|
|
|
|
|
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
LGE
|
14 564
|
2.54
|
|
|
|
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
PH/NXP
|
32
|
29.04
|
|
|
|
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
LUGUANG
|
8 733
|
2.44
|
|
|
|
BYV95C |
|
Быстрый выпрямительный диод 600V, 1.5A, <250nS
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BYV95C |
|
Быстрый выпрямительный диод 600V, 1.5A, <250nS
|
|
|
25.12
|
|
|
|
TIP32C |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=100В, Ic=3A, P=40Вт, f=3MHz, h>25, -65 ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
TIP32C |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=100В, Ic=3A, P=40Вт, f=3MHz, h>25, -65 ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
821
|
42.18
|
|
|
|
TIP32C |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=100В, Ic=3A, P=40Вт, f=3MHz, h>25, -65 ...
|
POWER INNOVATIONS
|
|
|
|
|
|
TIP32C |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=100В, Ic=3A, P=40Вт, f=3MHz, h>25, -65 ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
TIP32C |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=100В, Ic=3A, P=40Вт, f=3MHz, h>25, -65 ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
TIP32C |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=100В, Ic=3A, P=40Вт, f=3MHz, h>25, -65 ...
|
POWER INNOVATIONS
|
|
|
|
|
|
TIP32C |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=100В, Ic=3A, P=40Вт, f=3MHz, h>25, -65 ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
TIP32C |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=100В, Ic=3A, P=40Вт, f=3MHz, h>25, -65 ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
TIP32C |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=100В, Ic=3A, P=40Вт, f=3MHz, h>25, -65 ...
|
Microsemi Commercial Components Group
|
|
|
|
|
|
TIP32C |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=100В, Ic=3A, P=40Вт, f=3MHz, h>25, -65 ...
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
TIP32C |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=100В, Ic=3A, P=40Вт, f=3MHz, h>25, -65 ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
TIP32C |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=100В, Ic=3A, P=40Вт, f=3MHz, h>25, -65 ...
|
ST1
|
|
|
|
|
|
TIP32C |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=100В, Ic=3A, P=40Вт, f=3MHz, h>25, -65 ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
32
|
|
|
|
|
TIP32C |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=100В, Ic=3A, P=40Вт, f=3MHz, h>25, -65 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
14
|
|
|
|
|
TIP32C |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=100В, Ic=3A, P=40Вт, f=3MHz, h>25, -65 ...
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
TIP32C |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=100В, Ic=3A, P=40Вт, f=3MHz, h>25, -65 ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
TIP32C |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=100В, Ic=3A, P=40Вт, f=3MHz, h>25, -65 ...
|
|
1 000
|
18.42
|
|
|
|
TIP32C |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=100В, Ic=3A, P=40Вт, f=3MHz, h>25, -65 ...
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
TIP32C |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=100В, Ic=3A, P=40Вт, f=3MHz, h>25, -65 ...
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
TOP223G |
|
|
PWR
|
|
|
|
|
|
TOP223G |
|
|
PI
|
|
|
|
|
|
TOP223G |
|
|
|
|
222.92
|
|
|
|
TOP223G |
|
|
Power Integrations
|
|
|
|
|
|
TOP223G |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
680
|
|
|
|
|
TOP224P |
|
|
|
|
592.40
|
|
|
|
TOP224P |
|
|
PI
|
|
|
|
|
|
TOP224P |
|
|
POWER INTEGRATIONS
|
|
|
|
|
|
TOP224P |
|
|
POWER INTEGRATIONS
|
|
|
|
|
|
TOP224P |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
345
|
|
|