Версия для печати
Технические характеристики IRF3205Z

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.5 mOhm @ 66A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	75A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	110nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3450pF @ 25V
Power - Max	170W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

IRF3205Z (Дискретные сигналы) HEXFETand#174; Power MOSFET Также в этом файле: IRF3205ZL, IRF3205ZS Производитель: International Rectifier //www.irf.com IRF3205Z datasheet 302.82Kb 12стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BZV55-C5V1		Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м	PHILIPS
		BZV55-C5V1		Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м	NXP	6 765	4.14
		BZV55-C5V1		Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м	DC COMPONENTS	168 372	2.07
		BZV55-C5V1		Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м	NXP
		BZV55-C5V1		Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м	PHILIPS
		BZV55-C5V1		Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м	KINGTRON
		BZV55-C5V1		Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
		BZV55-C5V1		Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м	HOTTECH	473 140	1.38
		IRF2805SPBF		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=75A, Rds=4.7m R)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF2805SPBF		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=75A, Rds=4.7m R)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF2805SPBF		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=75A, Rds=4.7m R)	INFINEON
		IRF2805SPBF		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=75A, Rds=4.7m R)
		MUR860G		Ультрабыстрый диод 600V 8A	ON SEMICONDUCTOR
		MUR860G		Ультрабыстрый диод 600V 8A	VISHAY
		MUR860G		Ультрабыстрый диод 600V 8A	ONS	985	101.86
		MUR860G		Ультрабыстрый диод 600V 8A			76.64
		MUR860G		Ультрабыстрый диод 600V 8A	ON SEMICONDUCTOR	82
		MUR860G		Ультрабыстрый диод 600V 8A	YJ
		MUR860G		Ультрабыстрый диод 600V 8A	ON SEMICONDUCTO
		MUR860G		Ультрабыстрый диод 600V 8A	ONSEMICONDUCTOR
		MUR860G		Ультрабыстрый диод 600V 8A	1
		STGB10NB37LZ		IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	ST MICROELECTRONICS
		STGB10NB37LZ		IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый		4	340.00
		STGB10NB37LZ		IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	ST MICROELECTRONICS SEMI
		STGB10NB37LZ		IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	STMicroelectronics
		STGB10NB37LZ		IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	КИТАЙ
		STGB10NB37LZ		IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	ST MICROELECTRO
		US2M			DIC
		US2M				23 520	1.65
		US2M			DIOTEC	4 435	11.71
		US2M			DIOTEC SEMICONDUCTOR
		US2M			MASTER INSTRUMENT CO
		US2M			YJ	960	5.17
		US2M			HOTTECH	58 491	3.06
		US2M			SUNTAN
		US2M			WUXI XUYANG	6	7.62
		US2M			YANGJIE	14 400	4.23
		US2M			YANGJIE (YJ)
		US2M			SEMTECH	1 488	6.51
		US2M			JINGDAO
		US2M			DIOTEK
		US2M			ZITEK

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"