Версия для печати
Технические характеристики IRF3205Z

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.5 mOhm @ 66A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	75A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	110nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3450pF @ 25V
Power - Max	170W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

IRF3205Z (Дискретные сигналы) HEXFETand#174; Power MOSFET Также в этом файле: IRF3205ZL, IRF3205ZS Производитель: International Rectifier //www.irf.com IRF3205Z datasheet 302.82Kb 12стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BZV55-C5V1		Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м	PHILIPS
		BZV55-C5V1		Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м	NXP
		BZV55-C5V1		Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м	DC COMPONENTS	1 018	2.44
		BZV55-C5V1		Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м	NXP
		BZV55-C5V1		Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м	PHILIPS
		BZV55-C5V1		Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м	KINGTRON
		BZV55-C5V1		Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
		BZV55-C5V1		Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м	HOTTECH
		IRF2805SPBF		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=75A, Rds=4.7m R)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF2805SPBF		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=75A, Rds=4.7m R)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF2805SPBF		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=75A, Rds=4.7m R)	INFINEON
		IRF2805SPBF		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=75A, Rds=4.7m R)
		IRF3205SPBF		Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 55 В, Rоткр = 0.08 Ом, Id(25°C) = 110 A ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF3205SPBF		Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 55 В, Rоткр = 0.08 Ом, Id(25°C) = 110 A ...
		IRF3205SPBF		Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 55 В, Rоткр = 0.08 Ом, Id(25°C) = 110 A ...	INFINEON
		IRFZ34N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=29A@T=25C, Id=20A@T=100C, Rds=0.04 R, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	52	91.80
		IRFZ34N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=29A@T=25C, Id=20A@T=100C, Rds=0.04 R, ...			65.64
		IRFZ34N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=29A@T=25C, Id=20A@T=100C, Rds=0.04 R, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	92
		IRFZ34N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=29A@T=25C, Id=20A@T=100C, Rds=0.04 R, ...	МЕКСИКА
		IRFZ34N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=29A@T=25C, Id=20A@T=100C, Rds=0.04 R, ...	INFINEON
		STGB10NB37LZ		IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	ST MICROELECTRONICS
		STGB10NB37LZ		IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый		4	340.00
		STGB10NB37LZ		IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	ST MICROELECTRONICS SEMI
		STGB10NB37LZ		IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	STMicroelectronics
		STGB10NB37LZ		IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	КИТАЙ
		STGB10NB37LZ		IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	ST MICROELECTRO

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"