![]() |
|
Корпус | 8-SO |
Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Тип монтажа | Поверхностный |
Рабочая температура | -45°C ~ 125°C |
Напряжение питания | 8 V ~ 16.6 V |
Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка) | 600V |
Число выходов | 2 |
Число конфигураций | 1 |
Ток пиковое значение | 400mA |
Тип входа | Inverting |
Конфигурация | Half Bridge |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
![]() |
IRFB17N50L |
![]() |
Транзистор полевой N-канальный MOSFET | INTERNATIONAL RECTIFIER |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
IRFB17N50L |
![]() |
Транзистор полевой N-канальный MOSFET | VISHAY |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
IRFB17N50L |
![]() |
Транзистор полевой N-канальный MOSFET |
![]() |
227.88 | ||
![]() |
![]() |
IRFB17N50L |
![]() |
Транзистор полевой N-канальный MOSFET | Vishay/Siliconix |
![]() |
![]() |
|
![]() |
LM4871M | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
![]() |
![]() |
||||
![]() |
LM4871M |
![]() |
78.32 | |||||
![]() |
LM4871M | NSC |
![]() |
![]() |
||||
![]() |
LM4871M | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
![]() |
![]() |
||||
![]() |
LM4871M | США |
![]() |
![]() |
||||
![]() |
LM4871M | СОЕДИНЕННЫЕ ШТА |
![]() |
![]() |
||||
![]() |
LM4871M | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() |
![]() |
||||
![]() |
![]() |
STGY40NC60VD |
![]() |
N-канальный быстродействующий igbt-транзистор на 600 в, 50 а | ST MICROELECTRONICS |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
STGY40NC60VD |
![]() |
N-канальный быстродействующий igbt-транзистор на 600 в, 50 а | STMicroelectronics |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
STGY40NC60VD |
![]() |
N-канальный быстродействующий igbt-транзистор на 600 в, 50 а | КИТАЙ |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
STGY40NC60VD |
![]() |
N-канальный быстродействующий igbt-транзистор на 600 в, 50 а |
![]() |
1 283.40 |
|
Корзина
|