Версия для печати

Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В КТ646А datasheet 75,11kB 1стр.

КАТАЛОГ

 » 

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

ТРАНЗИСТОРЫ

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SC3419			TOSHIBA
		2SC3419
		2SC3419
		2SC495
		BD825				1	166.32
		BD825			1

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	FAIR
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	ST MICROELECTRONICS
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	ON SEMICONDUCTOR
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	PHILIPS
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	UTC
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	NXP
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	FAIRCHILD	800	12.47
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	FAIRCHILD	332
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	NXP
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	PHILIPS
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	DC COMPONENTS	15 675	5.53
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	Fairchild Semiconductor
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	STMicroelectronics
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	MOTOROLA
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	КИТАЙ
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)			12.92
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	ONS-FAIR
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	ONS
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	1
		TDA7293		УНЧ DMOS 80W (2x29V/4 Ом), THD<0.1%, max 100W	ST MICROELECTRONICS
		TDA7293		УНЧ DMOS 80W (2x29V/4 Ом), THD<0.1%, max 100W			320.00
		TDA7293		УНЧ DMOS 80W (2x29V/4 Ом), THD<0.1%, max 100W	ST MICROELECTR
		TDA7293		УНЧ DMOS 80W (2x29V/4 Ом), THD<0.1%, max 100W	1
		TDA7293		УНЧ DMOS 80W (2x29V/4 Ом), THD<0.1%, max 100W	4-7 НЕДЕЛЬ	231
		КТ368АМ		Транзистор кремниевый NPN усилительный 900МГц,225 мВт, 15В, 30мА		141	7.91
		КТ368АМ		Транзистор кремниевый NPN усилительный 900МГц,225 мВт, 15В, 30мА	СВЕТЛАНА
		КТ368АМ		Транзистор кремниевый NPN усилительный 900МГц,225 мВт, 15В, 30мА	МИНСК	2 559	6.30
		КТ368АМ		Транзистор кремниевый NPN усилительный 900МГц,225 мВт, 15В, 30мА	АЛЕКСАНДРОВ
		КТ368АМ		Транзистор кремниевый NPN усилительный 900МГц,225 мВт, 15В, 30мА	ИНТЕГРАЛ	52	15.12
		КТ644А		Транзистор универсальный PNP 60В, 0.6А, 200МГц		218	45.36
		КТ644А		Транзистор универсальный PNP 60В, 0.6А, 200МГц	КРЕМНИЙ	292	32.13
		КТ644А		Транзистор универсальный PNP 60В, 0.6А, 200МГц	БРЯНСК
		КТ644А		Транзистор универсальный PNP 60В, 0.6А, 200МГц	RUS
		КТ644А		Транзистор универсальный PNP 60В, 0.6А, 200МГц	РИГА
		КТ644А		Транзистор универсальный PNP 60В, 0.6А, 200МГц	КРЕМНИЙ (БРЯНСК)	42	33.60
		КТ815А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...		179	31.28
		КТ815А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...	КРЕМНИЙ	800	26.46
		КТ815А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...	БРЯНСК	1 572	37.80
		КТ815А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...	МИНСК
		КТ815А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...	ИНТЕГРАЛ
		КТ815А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...	ТРАНЗИСТОР

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"