Версия для печати
Технические характеристики NL17SV00XV5T2G

Корпус	SOT-553
Корпус (размер)	SOT-553
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Напряжение питания	0.9 V ~ 3.6 V
Ток выходной макс., мин.	24mA, 24mA
Число каналов	1
Число входов	2
Логический тип	NAND Gate
Серия	17SV
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Логические элементы

 » 

Вентили, инверторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		3296W 5K		Резистор переменный подстроечный непроволочный многооборотный		961	14.04
		3296W 5K		Резистор переменный подстроечный непроволочный многооборотный	RUICHI	325	20.01
		MC33079DT		4xOP-Amp +-18V LN	ST MICROELECTRONICS	1 213	194.42
		MC33079DT		4xOP-Amp +-18V LN	ST MICROELECTRONICS SEMI	28
		MC33079DT		4xOP-Amp +-18V LN	STMicroelectronics
		MC33079DT		4xOP-Amp +-18V LN
		MC33079DT		4xOP-Amp +-18V LN	4-7 НЕДЕЛЬ	438
		MC74LCX574DTR2G			ON SEMICONDUCTOR
		MC74LCX574DTR2G			ONS
		MC74LCX574DTR2G			ON SEMIC
		MC74LCX574DTR2G
		MC74LCX574DTR2G			ON SEMICONDUCTO
		MC74LCX574DTR2G			4-7 НЕДЕЛЬ	771
		RD16HHF1		Транзистор полевой, Po=16W (Pin=0.4W/30MHz, Vcc=12.5V)	MITSUBISHI
		RD16HHF1		Транзистор полевой, Po=16W (Pin=0.4W/30MHz, Vcc=12.5V)	MIT
		RD16HHF1		Транзистор полевой, Po=16W (Pin=0.4W/30MHz, Vcc=12.5V)			331.04
		RD16HHF1		Транзистор полевой, Po=16W (Pin=0.4W/30MHz, Vcc=12.5V)	МАЛАЙЗИЯ
		SN74LVC1G3157DBVR			TEXAS INSTRUMENTS	40	15.56
		SN74LVC1G3157DBVR			TEXAS INSTRUMENTS
		SN74LVC1G3157DBVR				9 504	5.42
		SN74LVC1G3157DBVR			TEXAS	12 655	8.06
		SN74LVC1G3157DBVR			TEXAS INSTRUMEN
		SN74LVC1G3157DBVR			YOUTAI	53 672	4.20
		SN74LVC1G3157DBVR			UMW-YOUTAI
		SN74LVC1G3157DBVR			4-7 НЕДЕЛЬ	680

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"