Версия для печати
Технические характеристики LT1781CS

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Тип	Transceiver
Number of Drivers/Receivers	2/2
Protocol	RS232
Напряжение питания	4.5 V ~ 5.5 V
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Корпус	16-SOIC

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Интерфейсы

 » 

Драйверы, приемники, передатчики

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		AQY221N1S			PAN
		AQY221N1S			Panasonic Electric Works
		BAV103		Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)	NXP
		BAV103		Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)	GENERAL SEMICONDUCTOR
		BAV103		Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)	PHILIPS
		BAV103		Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)	DC COMPONENTS	141 886	2.54
		BAV103		Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)	DIOTEC	37 876	55.41
		BAV103		Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)	SEMICRON
		BAV103		Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)		12 000	2.16
		BAV103		Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)	GENERAL SEMICONDUCTOR
		BAV103		Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)	PHILIPS
		BAV103		Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)	Fairchild Semiconductor
		BAV103		Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)	FAIRCHILD
		BAV103		Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)	MCC
		BAV103		Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)	FAIR
		BAV103		Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)	NXP
		BAV103		Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)	NEXPERIA
		BAV103		Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)	VISHAY
		BAV103		Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)	ONS-FAIR
		BAV103		Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)	ONS
		BAV103		Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)	HOTTECH	82 979	3.18
		BAV103		Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)	LGE	2 750	2.95
		BAV103		Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)	PANJIT
		BAV103		Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)	SEMTECH	16	3.23
		BAV103		Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)	KLS
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PHILIPS
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	FAIR
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	NXP
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	DC COMPONENTS	60	2.74
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	ON SEMICONDUCTOR
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	MCC
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	DIOTEC	36 208	1.15
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	INFINEON
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	FAIRCHILD
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	GALAXY
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	ONS
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	FAIRCHILD
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	INFINEON	240
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	NXP	1 212
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PHILIPS	976
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	КИТАЙ
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	МАЛАЙЗИЯ
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	INFINEON TECH
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	DI
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	KINGTRON
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц		4 438	5.28
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	KEC
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	DIODES
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PANJIT
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	GALAXY ME
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	HOTTECH	176 064	1.50  >100 шт.   0.75
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	LRC
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PH / NXP
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	KLS
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	YANGJIE (YJ)
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	NEX-NXP	61 600	3.94
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	SEMTECH	3 026	1.39
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	YJ	1 220 109	1.30
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PH/NXP
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	CTK	2 631	1.60
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	RUME
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	OLITECH ELECTRONICS
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	SUNTAN	527 588	1.66  >100 шт.   0.83
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	1
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	NEXPERIA	597 600	1.37
		IRFR024N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFR024N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)		7 960	15.70
		IRFR024N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)	INTERNATIONAL RECTIFIER	1 311
		IRFR024N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)	КИТАЙ
		IRFR024N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)	INFINEON
		IRFR024N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)	1
		LM2936DT-5.0			NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM2936DT-5.0					194.08
		LM2936DT-5.0			NSC
		LM2936DT-5.0			TEXAS INSTRUMENTS

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"