| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
|
|
32.56
|
|
|
|
|
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
EIC
|
|
|
|
|
|
|
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
PH / NXP
|
|
|
|
|
|
|
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
LGE
|
15 204
|
2.51
|
|
|
|
|
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
|
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
PH/NXP
|
32
|
25.20
|
|
|
|
|
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
LUGUANG
|
8 733
|
2.54
|
|
|
|
|
ES1J (1А 600В) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
IRG4PSC71U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRG4PSC71U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный
|
|
|
1 091.68
|
|
|
|
|
IRG4PSC71U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
|
IRG4PSC71U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц
|
|
1
|
457.60
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц
|
IR/VISHAY
|
15
|
756.00
|
|
|
|
|
PLA10AS4330R3R2B |
|
Сетевой фильтр дроссель подавления ЭМП
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
|
PLA10AS4330R3R2B |
|
Сетевой фильтр дроссель подавления ЭМП
|
|
|
69.64
|
|
|
|
|
PLA10AS4330R3R2B |
|
Сетевой фильтр дроссель подавления ЭМП
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
|
PLA10AS4330R3R2B |
|
Сетевой фильтр дроссель подавления ЭМП
|
MUR
|
|
|
|
|
|
|
PLA10AS4330R3R2B |
|
Сетевой фильтр дроссель подавления ЭМП
|
TOKYO PARTS
|
|
|
|
|
|
|
PLA10AS4330R3R2B |
|
Сетевой фильтр дроссель подавления ЭМП
|
TP-MUR
|
|
|
|
|
|
|
PLA10AS4330R3R2B |
|
Сетевой фильтр дроссель подавления ЭМП
|
0.00
|
|
|
|
Версия для печати
