АЛ115В
|
|
Версия для печати
| Мощность излучения P,мВт | 9 |
| Прямое напряжение,В | 1.8 |
| при токе Iпр.,мА | 50 |
| Длина волны,нм | 950 |
| Ширина спектра излучения,нм | 50 |
| Видимый телесный угол,град | 20 |
| Максимальное время нарастания импульса,нс | 1000 |
| Максимальное время спада импульса,нс | 600 |
| Максимальное обратное напряжение,В | 2 |
| Максимальный прямой ток,мА | 100 |
| Максимальный импульсный прямой ток,мА | 600 |
| Способ монтажа | в отверстие |
| Рабочая температура,С | -40...85 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 564ПР1 |
|
568.00 | ||||||
| 564ПР1 | НОВОСИБИРСК | 4 | 300.00 | |||||
| 564ПР1 | НЗПП |
|
|
|||||
| MBRA160T3G | ONS | 1 | 59.21 | |||||
| MBRA160T3G | ON SEMICONDUCTOR | 4 | 15.16 | |||||
| MBRA160T3G | ON SEMICONDUCTOR | 171 |
|
|||||
| MBRA160T3G |
|
|
||||||
| MBRA160T3G | TOKMAS | 6 557 | 6.90 | |||||
 |
 |
КДФ101А |
|
Фотодиод структуры р-n в пластмассовом корпусе полуцилиндрической формы с жесткими ... | 1 743 | 5.25 | ||
|
|
|
КДФ101А |
|
Фотодиод структуры р-n в пластмассовом корпусе полуцилиндрической формы с жесткими ... | ОРЕЛ | 2 043 | 6.00 | |
|
|
|
КДФ101А |
|
Фотодиод структуры р-n в пластмассовом корпусе полуцилиндрической формы с жесткими ... | ОРЁЛ |
|
|
|
 |
|
КТ361Б |
|
Транзистор структуры PNP усилительный | 54 756 | 7.20 | ||
|
|
|
КТ361Б |
|
Транзистор структуры PNP усилительный | ТОМСК |
|
|
|
|
|
|
КТ361Б |
|
Транзистор структуры PNP усилительный | RUS |
|
|
|
|
|
|
КТ361Б |
|
Транзистор структуры PNP усилительный | ТРАНЗИСТОР | 372 | 1.02 | |
|
|
|
КТ361Б |
|
Транзистор структуры PNP усилительный | НИИПП ТОМСК | 960 | 7.87 | |
 |
КТ361Ж | 1 | 9.60 | |||||
|
|
КТ361Ж | 1 | 9.60 |
