Версия для печати
Технические характеристики IR2103

Корпус	8-DIP
Корпус (размер)	8-DIP (0.300", 7.62mm)
Тип монтажа	Выводной
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C
Напряжение питания	10 V ~ 20 V
Число выходов	2
Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка)	600V
Число конфигураций	1
Ток пиковое значение	210mA
Время задержки	680ns
Тип входа	Inverting and Non-Inverting
Конфигурация	Half Bridge
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant

IR2103 (Интерфейсы и соединения) HALF-BRIDGE DRIVER Также в этом файле: IR2103S Производитель: International Rectifier //www.irf.com IR2103 datasheet 121.49Kb 12стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

Драйверы MOSFET (внешнее переключение)

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		0.47МКФ 50 (4X5)105°C
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	ST MICROELECTRONICS
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	VISHAY
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	SGS
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	MOTOROLA
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	SAMSUNG
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)		184	101.75
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	MOTOROLA
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	SAMSUNG
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	SGS THOMSON
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	Vishay/Siliconix
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	STMicroelectronics
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	КИТАЙ
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	1
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	SEMTECH
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	MCC
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс		246	10.08
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	DC COMPONENTS	676	6.24
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	MASTER INSTRUMENT CO
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	GALAXY
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	MIC	4 596	1.88
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	КИТАЙ	532	9.07
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	YJ
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	KINGTRONICS
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	GALAXY ME	4 462	5.52
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	LGE	18 400	2.07
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	WUXI XUYANG	11 872	5.04
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	YANGJIE
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	YANGJIE (YJ)
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	1
		STP75NF75		Транзистор полевой N-канальный MOSFET 75В, 80A, 45Вт	ST MICROELECTRONICS	1 200	76.16
		STP75NF75		Транзистор полевой N-канальный MOSFET 75В, 80A, 45Вт	STMicroelectronics
		STP75NF75		Транзистор полевой N-канальный MOSFET 75В, 80A, 45Вт	КИТАЙ
		STP75NF75		Транзистор полевой N-канальный MOSFET 75В, 80A, 45Вт	ST MICROELECTRONICS SEMI	16
		STP75NF75		Транзистор полевой N-канальный MOSFET 75В, 80A, 45Вт		2 134	58.74
		STP75NF75		Транзистор полевой N-канальный MOSFET 75В, 80A, 45Вт	ST MICROELECTRO
		МЛТ-1-10 ОМ-5%		Резистор постоянный металлопленочный лакированный теплостойкий, металлодиэлектрический ...

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"