|
KA2212 Linear Integrated Circuit
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
AN7112 | 7 | 28.80 | ||||||
AN7112 | 1 | |||||||
LA4140 | Усилитель низкой частоты 0.5W (6V/8 Ом) | SANYO | ||||||
LA4140 | Усилитель низкой частоты 0.5W (6V/8 Ом) | 47.88 | ||||||
LA4140 | Усилитель низкой частоты 0.5W (6V/8 Ом) | SAN | ||||||
LA4140 | Усилитель низкой частоты 0.5W (6V/8 Ом) | 1 | ||||||
TA7313AP | TOSHIBA | |||||||
TA7313AP | 1 | 144.00 | ||||||
TA7313AP | 1 |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2SC2570A | ||||||||
2SC2570A | ПЛАНЕТА | 52 | 58.65 | |||||
2SC2570A | ||||||||
GALI-3 | ||||||||
GALI-3 | MINI CIRCUITS | |||||||
GALI-3 | ||||||||
К544УД1Б | 1 | 528.00 | ||||||
К544УД1Б | МИКРО-М | |||||||
К544УД1Б | НОВОСИБИРСК | |||||||
КТ 646 А | RUS | |||||||
КТ646А | Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | КРЕМНИЙ | 311 | 48.45 | ||||
КТ646А | Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | 646 | 31.50 | |||||
КТ646А | Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | БРЯНСК | ||||||
КТ646А | Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | МИНСК | ||||||
КТ646А | Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | RUS | ||||||
КТ646А | Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | ИНТЕГРАЛ | ||||||
КТ646А | Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | ТРАНЗИСТОР |
|