Версия для печати
Технические характеристики L7806CD2T

Корпус	D2PAK
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	0°C ~ 125°C
Ток выходной	1.5A
Число регуляторов	1
Напряжение - падение (Typ.)	2V @ 1A
Напряжение входное	Up to 35V
Напряжение выходное	6V
Топология регулятора	Positive Fixed
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

L7800 POSITIVE VOLTAGE REGULATORS Также в этом файле: L7806CD2T Производитель: STMicroelectronics //www.st.com L7806CD2T datasheet 264.08Kb 25стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

Регуляторы напряжения

 » 

Регуляторы напряжения линейные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BF245B		Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 6-15mA			14.28
		BF245B		Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 6-15mA	FAIR
		BF245B		Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 6-15mA	NXP
		BF245B		Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 6-15mA	FSC
		BF245B		Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 6-15mA	PHILIPS
		BF245B		Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 6-15mA	PHILIPS
		BF245B		Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 6-15mA	Fairchild Semiconductor
		BF245B		Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 6-15mA	ON Semiconductor
		BF961		Транзистор N-FT-DG, 20В, 0.03A, TO50	SIEMENS
		BF961		Транзистор N-FT-DG, 20В, 0.03A, TO50			58.40
		LM386M		Аудиоусилитель 0,73Вт, 15В, 8Ом	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM386M		Аудиоусилитель 0,73Вт, 15В, 8Ом	UTC
		LM386M		Аудиоусилитель 0,73Вт, 15В, 8Ом			28.40
		TBA820M		ИМС УНЧ 2Вт DIP8	ST MICROELECTRONICS
		TBA820M		ИМС УНЧ 2Вт DIP8	SGS
		TBA820M		ИМС УНЧ 2Вт DIP8		4	72.00
		TBA820M		ИМС УНЧ 2Вт DIP8	UTC
		TBA820M		ИМС УНЧ 2Вт DIP8	SGS THOMSON
		TBA820M		ИМС УНЧ 2Вт DIP8	ST MICROELECTRONICS SEMI
		TBA820M		ИМС УНЧ 2Вт DIP8	STMicroelectronics
		TBA820M		ИМС УНЧ 2Вт DIP8	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		TBA820M		ИМС УНЧ 2Вт DIP8	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		TBA820M		ИМС УНЧ 2Вт DIP8	ST1
		TBA820M		ИМС УНЧ 2Вт DIP8	ST MICROELECTRO
		TBA820M		ИМС УНЧ 2Вт DIP8	1
		TDA2003		Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А	ST MICROELECTRONICS
		TDA2003		Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А	UTC
		TDA2003		Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А	ОРБИТА	8	79.05
		TDA2003		Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А		16 156	25.81
		TDA2003		Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А	TSL
		TDA2003		Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А	САРАНСК
		TDA2003		Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А	КИТАЙ
		TDA2003		Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А	MEV
		TDA2003		Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А	ST1
		TDA2003		Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А	STMICROELECTR
		TDA2003		Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А	SEMICONDUCTORS
		TDA2003		Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А	1

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"