|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SC3311 |
|
Биполярный транзистор NPN 60V, 0.2A, 0.5W, 200MHz
|
MATSUSHITA
|
|
|
|
|
|
2SC3311 |
|
Биполярный транзистор NPN 60V, 0.2A, 0.5W, 200MHz
|
|
|
5.00
|
|
|
|
2SC3311 |
|
Биполярный транзистор NPN 60V, 0.2A, 0.5W, 200MHz
|
MAT
|
|
|
|
|
|
2SC3311 |
|
Биполярный транзистор NPN 60V, 0.2A, 0.5W, 200MHz
|
PAN
|
|
|
|
|
|
2SC3311 |
|
Биполярный транзистор NPN 60V, 0.2A, 0.5W, 200MHz
|
СИНГАПУР
|
|
|
|
|
|
ECAP 470/400V 3540 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470мкФ, 400 В, 85С
|
JAMICON
|
|
|
|
|
|
ECAP 470/400V 3540 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470мкФ, 400 В, 85С
|
|
|
560.00
|
|
|
|
ECAP 470/400V 3540 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470мкФ, 400 В, 85С
|
JAM
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц
|
|
1
|
457.60
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц
|
IR/VISHAY
|
15
|
755.70
|
|
|
|
SPW17N80C3 |
|
Полевой транзистор 17A 800В 290мОм
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
SPW17N80C3 |
|
Полевой транзистор 17A 800В 290мОм
|
|
|
509.00
|
|
|
|
SPW17N80C3 |
|
Полевой транзистор 17A 800В 290мОм
|
INFINEON
|
2
|
|
|
|
|
SPW17N80C3 |
|
Полевой транзистор 17A 800В 290мОм
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
SPW17N80C3 |
|
Полевой транзистор 17A 800В 290мОм
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
STM32F407G-DISC1 |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
STM32F407G-DISC1 |
|
|
|
|
|
|