IRF7406
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
|
Версия для печати
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 2.8A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 5.8A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 59nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1100pF @ 25V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRF7406 (P-канальные транзисторные модули) Hexfet Power Mosfet
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
 | TEN 20-2410WIN Dc/dc конвертер серии ten 20win мощностью 20 ваттОсобенности: Сверх-широкий диапазон входных напряжений 4:1 Диапазон рабочих температур -40...+85°... Купить |
 | IXTN200N10T Trenchmv power mosfet Купить |
 | SGL41-60 Ограничительный диод шотки в корпусе для поверхностного монтажа Корпус типа MELF для поверхностного монтажа Защита от перенапряжения Малая потеря м... Купить |
