Версия для печати
Технические характеристики MMBT2222ALT1

Current - Collector (Ic) (Max)	600mA
Transistor Type	NPN
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 150mA, 10V
Power - Max	330mW
Frequency - Transition	300MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	PG-SOT23-3

MMBT2222ALT1 (Универсальные биполярные транзисторы) General Purpose Transistors NPN Silicon Также в этом файле: MMBT2222ALT1G Производитель: ON Semiconductor //www.onsemi.com MMBT2222ALT1 datasheet 128.66Kb 8стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		0805-47 1%		ЧИП — резистор			1.24
		BC808-16			DIOTEC
		BC808-16
		BC808-16			INFINEON TECH
		BF998E6327		N-канальный полевой транзистор, Vds=12V , Ids=30mA ,Ptot=200mW ,ts=-65.+150	INFINEON
		BF998E6327		N-канальный полевой транзистор, Vds=12V , Ids=30mA ,Ptot=200mW ,ts=-65.+150	INFINEON
		BF998E6327		N-канальный полевой транзистор, Vds=12V , Ids=30mA ,Ptot=200mW ,ts=-65.+150	Infineon Technologies
		BF998E6327		N-канальный полевой транзистор, Vds=12V , Ids=30mA ,Ptot=200mW ,ts=-65.+150
		NE5532DR		Малошумящий прецизионный операционный усилитель 2 канальный	TEXAS INSTRUMENTS
		NE5532DR		Малошумящий прецизионный операционный усилитель 2 канальный	NEC
		NE5532DR		Малошумящий прецизионный операционный усилитель 2 канальный			24.80
		NE5532DR		Малошумящий прецизионный операционный усилитель 2 канальный	TEXAS INSTRUMENTS
		NE5532DR		Малошумящий прецизионный операционный усилитель 2 канальный	TEXAS
		WH1602P-YYK-CTK			WINSTAR
		WH1602P-YYK-CTK					747.60

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"