Версия для печати
Технические характеристики IRFZ48

Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2400pF @ 25V
Gate Charge (Qg) @ Vgs	110nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	50A
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18 mOhm @ 43A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Power - Max	3.7W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Корпус	TO-262-3

IRFZ48N (Мощные полевые МОП транзисторы) N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor Производитель: Philips Semiconductors //www.semiconductors.philips.com IRFZ48 datasheet 68.45Kb 8стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		КП741А

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		3362S-503		Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный 50 кОм	BOURNS
		3362S-503		Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный 50 кОм	BARONS
		3362S-503		Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный 50 кОм			19.04
		3362S-503		Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный 50 кОм	КИТАЙ
		IRFP460LC		N-MOS 500V, 20A, 280W	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFP460LC		N-MOS 500V, 20A, 280W	VISHAY
		IRFP460LC		N-MOS 500V, 20A, 280W			259.60
		IRFP460LC		N-MOS 500V, 20A, 280W	Vishay/Siliconix
		IRFP460LC		N-MOS 500V, 20A, 280W	INFINEON
		SF56		Быстродействующий диод (5А/150А,400В)	SEMTECH
		SF56		Быстродействующий диод (5А/150А,400В)	DC COMPONENTS
		SF56		Быстродействующий диод (5А/150А,400В)		8 221	5.33
		SF56		Быстродействующий диод (5А/150А,400В)	GALAXY	1	22.62
		SF56		Быстродействующий диод (5А/150А,400В)	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		SF56		Быстродействующий диод (5А/150А,400В)	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		SF56		Быстродействующий диод (5А/150А,400В)	КИТАЙ	40	30.60
		SF56		Быстродействующий диод (5А/150А,400В)	KINGTRONICS
		SF56		Быстродействующий диод (5А/150А,400В)	GALAXY ME
		SF56		Быстродействующий диод (5А/150А,400В)	KLS	37	11.81
		SF56		Быстродействующий диод (5А/150А,400В)	MIC	148	12.17
		SF56		Быстродействующий диод (5А/150А,400В)	HOTTECH	9 348	11.50
		SF56		Быстродействующий диод (5А/150А,400В)	YANGJIE	57 600	10.00
		SF56		Быстродействующий диод (5А/150А,400В)	SUNTAN	2 212	8.93
		КТ368АМ		Транзистор кремниевый NPN усилительный 900МГц,225 мВт, 15В, 30мА		147	7.53
		КТ368АМ		Транзистор кремниевый NPN усилительный 900МГц,225 мВт, 15В, 30мА	СВЕТЛАНА
		КТ368АМ		Транзистор кремниевый NPN усилительный 900МГц,225 мВт, 15В, 30мА	МИНСК	3 611	6.00
		КТ368АМ		Транзистор кремниевый NPN усилительный 900МГц,225 мВт, 15В, 30мА	АЛЕКСАНДРОВ
		КТ368АМ		Транзистор кремниевый NPN усилительный 900МГц,225 мВт, 15В, 30мА	ИНТЕГРАЛ	80	20.40
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	КРЕМНИЙ	14	1 167.90
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N		1	334.40
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ФЗМТ
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	БРЯНСК	205	1 460.00
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ЭЛЕКТРОПРИБОР
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ФРЯЗИНО
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	RUS

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"