Версия для печати
Технические характеристики IRFZ48

Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2400pF @ 25V
Gate Charge (Qg) @ Vgs	110nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	50A
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18 mOhm @ 43A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Power - Max	3.7W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Корпус	TO-262-3

IRFZ48N (Мощные полевые МОП транзисторы) N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor Производитель: Philips Semiconductors //www.semiconductors.philips.com IRFZ48 datasheet 68.45Kb 8стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		КП741А

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		DT838		Мультиметр цифровой			1 000.00
		DT838		Мультиметр цифровой	XTL TECH
		MJE13005		Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...	ON SEMICONDUCTOR
		MJE13005		Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...	ST MICROELECTRONICS
		MJE13005		Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...		8	56.32
		MJE13005		Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...	ONS
		MJE13005		Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...	ON SEMICONDUCTOR
		MJE13005		Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
		MJE13005		Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...	INCHANGE SEMIC
		MJE13005		Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...	MOTOROLA
		MJE13005		Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...	HOTTECH
		MJE13005		Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...	ZH
		MJE13005		Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...	RUME	7 840	12.73
		К176ЛА7		4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала		4 035	10.80
		К176ЛА7		4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала	ДНЕПР
		К176ЛА7		4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала	ХАБАРОВСК	7 324	10.00
		К176ЛА7		4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала	НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
		К176ЛА7		4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала	НОВОСИБИРСК
		К176ЛА7		4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала	НЗПП
		К176ЛА7		4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала	ХЕРСОН
		КТ819БМ				186	79.20
		КТ819БМ			КРЕМНИЙ	40	1 229.10
		КТ819БМ			БРЯНСК	1	60.00
		КТ819БМ			УЛЬЯНОВСК
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	КРЕМНИЙ	89	1 331.10
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N		34	822.50
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ФЗМТ
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	БРЯНСК	88	1 450.00
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ЭЛЕКТРОПРИБОР
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ФРЯЗИНО	309	470.00
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	RUS

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"