IRFB4020PBF

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFB4020PBF (INFINEON)	1 200	103.38

Версия для печати

Технические характеристики IRFB4020PBF

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 11A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	18A
Vgs(th) (Max) @ Id	4.9V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	29nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1200pF @ 50V
Power - Max	100W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFB4020PBF (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRFB4020PBF datasheet
641.8 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
FR4 100X150X1.5 СТЕКЛОТЕКСТОЛИТ2-СТ	Стеклотекстолит FR4, 100X150X1.5			514.40
FR4 100X150X1.5 СТЕКЛОТЕКСТОЛИТ2-СТ	Стеклотекстолит FR4, 100X150X1.5			514.40
FR4 100X150X1.5 СТЕКЛОТЕКСТОЛИТ2-СТ	Стеклотекстолит FR4, 100X150X1.5	ЦПТА
IRF3205PBF	Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 55 В, Rоткр = 0.08 Ом, Id(25°C) = 110 A ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF3205PBF	Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 55 В, Rоткр = 0.08 Ом, Id(25°C) = 110 A ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF3205PBF	Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 55 В, Rоткр = 0.08 Ом, Id(25°C) = 110 A ...	INFINEON	26 464	39.13
IRF3205PBF	Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 55 В, Rоткр = 0.08 Ом, Id(25°C) = 110 A ...		3 296	31.85
IRFB5615		INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFB5615			1 600	46.59
IRFB5615		INFINEON
IRFB5615		EVVO	644	63.51
IRS2113S		INTERNATIONAL RECTIFIER
IRS2113S			8	453.60
IRS2113S		INFINEON
IRS2113S		1
SH050M0022B2F-0511	Электролитический алюминиевый конденсатор 22 мкФ 50 В	YAGEO
SH050M0022B2F-0511	Электролитический алюминиевый конденсатор 22 мкФ 50 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)