IXFK52N60Q2
Hiperfet power mosfets q2-class
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HiPerFET™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 115 mOhm @ 500mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 52A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 8mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 198nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 6800pF @ 25V |
| Power - Max | 735W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-264 |
| Корпус | TO-264 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IXFK52N60Q2 (MOSFET) HiPerFET Power MOSFETs Q2-Class
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CSD10120A | CREE |
|
|
|||||
| CSD10120A | CREE PWR |
|
|
|||||
| CSD10120A |
|
2 960.00 | ||||||
 |
CSD20060D | CREE |
|
|
||||
|
|
CSD20060D |
|
3 992.00 | |||||
|
|
CSD20060D | Cree Inc |
|
|
||||
| IPW60R099CP | INFINEON |
|
|
|||||
| IPW60R099CP | Infineon Technologies |
|
|
|||||
| IPW60R099CP |
|
1 469.20 | ||||||
 |
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц | 1 | 457.60 | ||
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц | МЕКСИКА |
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц | IR/VISHAY | 15 | 755.70 |
