2SK2610

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
2SK2610		317.96

Версия для печати

Технические характеристики 2SK2610

Корпус	TO-3P(N)
Корпус (размер)	2-16C1B (TO-247 N)
Тип монтажа	Выводной
Power - Max	150W
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1200pF @ 25V
Gate Charge (Qg) @ Vgs	45nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	5A
Drain to Source Voltage (Vdss)	900V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5 Ohm @ 3A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

2SK2610 (Полевые МОП транзисторы)

N Channel Mos Type (high Speed, High Voltage Switching, Chopper Regulator, Dc-dc Converter and Motor Drive Applications)

Производитель:
Toshiba Semiconductor
//www.semicon.toshiba.co.jp

2SK2610 datasheet
293.16Kb
5стр.

Наименование	Описание	Производитель	Цена, руб.
1ПЭВР-25-51 ОМ 5%
AN8021L	SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=700kHz	MATSUSHITA
AN8021L	SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=700kHz	MAT
AN8021L	SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=700kHz		287.56
AN8021L	SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=700kHz	СИНГАПУР
AN8021L	SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=700kHz	PAN
SG3842M		MICRO SEMICONDUCTOR
SG3842M		MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
SG3842M		Microsemi Analog Mixed Signal Group
SG3842M		MICROSEMI CORP
SG3842M			314.88
КТ730А			325.00
КТ730А			325.00
КТ892Б			250.00
КТ892Б		УЛЬЯНОВСК