Версия для печати

КАТАЛОГ

 » 

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

МИКРОСХЕМЫ

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		IRFP450		Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	INTERNATIONAL RECTIFIER	4	238.14
		IRFP450		Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	VISHAY
		IRFP450		Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W		408	88.20
		IRFP450		Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	IXYS
		IRFP450		Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	Vishay/Siliconix
		IRFP450		Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	STMicroelectronics
		IRFP450		Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	КИТАЙ
		IRFP450		Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	INTRESIL
		IRFP450		Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	INTERSIL
		IRFP450		Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	IR/VISHAY	12	217.80
		IRFP450		Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	1
		IRG4PC50UD		Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRG4PC50UD		Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...			904.00
		IRG4PC50UD		Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...	ФИЛИППИНЫ
		IRG4PC50UD		Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...	INFINEON
		IRG4PC50UD		Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...	IR/VISHAY
		MD2202-D128-X			SanDisk
		НКИ 1.5-4				16 240	2.96
		НКИ 1.5-4			КВТ	7 834	5.74
		НКИ 1.5-4			KVT
		РПИ-М 1.5-(4.8)				4 720	2.77
		РПИ-М 1.5-(4.8)			КВТ	1 238	5.37

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"