KA2212
Усилитель низкой частоты 0.5W (6V/8 Ом)
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
KA2212 Linear Integrated Circuit
Производитель:
|
Аналоги:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AN7112 | 7 | 28.80 | ||||||
| AN7112 | 1 |
|
|
|||||
 |
 |
LA4140 |
|
Усилитель низкой частоты 0.5W (6V/8 Ом) | SANYO |
|
|
|
|
|
|
LA4140 |
|
Усилитель низкой частоты 0.5W (6V/8 Ом) |
|
47.88 | ||
|
|
|
LA4140 |
|
Усилитель низкой частоты 0.5W (6V/8 Ом) | SAN |
|
|
|
|
|
|
LA4140 |
|
Усилитель низкой частоты 0.5W (6V/8 Ом) | 1 |
|
|
|
| TA7313AP | TOSHIBA |
|
|
|||||
| TA7313AP | 1 | 144.00 | ||||||
| TA7313AP | 1 |
|
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2SC2570A |
|
|
|||||
|
|
2SC2570A | ПЛАНЕТА | 80 | 58.65 | ||||
|
|
2SC2570A |
|
|
|||||
| GALI-3 |
|
|
||||||
| GALI-3 | MINI CIRCUITS |
|
|
|||||
| GALI-3 |
|
|
||||||
| К544УД1Б |
|
312.20 | ||||||
| К544УД1Б | МИКРО-М |
|
|
|||||
| К544УД1Б | НОВОСИБИРСК |
|
|
|||||
| КТ 646 А | RUS |
|
|
|||||
 |
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | КРЕМНИЙ | 311 | 48.45 | |
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | 678 | 31.50 | ||
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | БРЯНСК |
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | МИНСК |
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | RUS |
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | ИНТЕГРАЛ |
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | ТРАНЗИСТОР | 39 | 57.07 |
