Корпус | 8-SOIC-EP |
Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad |
Тип монтажа | Поверхностный |
Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
Напряжение-выходное, Single/Dual (±) | 4.5 V ~ 12 V, ±2.25 V ~ 6 V |
Ток выходной / канал | 200mA |
Ток выходной | 14.7mA |
Напряжение входного смещения | 35µV |
Ток - входного смещения | 6µA |
Полоса пропускания -3Дб | 600MHz |
Скорость нарастания выходного напряжения | 310 V/µs |
Число каналов | 1 |
Тип усилителя | Voltage Feedback |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
152-K103 USBB-1J | NXU | |||||||
IRF250 | Транзистор N-MOS 200В 30A TO3 | INTERNATIONAL RECTIFIER | ||||||
IRF250 | Транзистор N-MOS 200В 30A TO3 | 2 520.00 | ||||||
IRF250 | Транзистор N-MOS 200В 30A TO3 | INFINEON | ||||||
TLP521-1GB | Оптопара транзисторная | TOSHIBA | 7 360 | 49.20 | ||||
TLP521-1GB | Оптопара транзисторная | 36 | 52.80 | |||||
TLP521-1GB | Оптопара транзисторная | TOS | ||||||
TLP521-1GB | Оптопара транзисторная | ТАИЛАНД | ||||||
TLP521-1GB | Оптопара транзисторная | ISOCOM | 84 | 4.49 | ||||
TLP521-1GB | Оптопара транзисторная | |||||||
TLP521-1GB | Оптопара транзисторная | CHINA | ||||||
TLP521-1GB | Оптопара транзисторная | ISO | ||||||
TLP521-1GB | Оптопара транзисторная | 1 | ||||||
TLP521-4GB | Оптрон 4-кан. 5.3кВ CTR | TOSHIBA | 5 920 | 167.28 | ||||
TLP521-4GB | Оптрон 4-кан. 5.3кВ CTR | 106.68 | ||||||
TLP521-4GB | Оптрон 4-кан. 5.3кВ CTR | TOS | ||||||
TLP521-4GB | Оптрон 4-кан. 5.3кВ CTR | ЯПОНИЯ |
|