|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
CD4511BE |
|
ИМС регистр хранения с дешифратором двоичного кода в 7-ми сегментный, КМОП
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
CD4511BE |
|
ИМС регистр хранения с дешифратором двоичного кода в 7-ми сегментный, КМОП
|
|
|
|
|
|
|
CD4511BE |
|
ИМС регистр хранения с дешифратором двоичного кода в 7-ми сегментный, КМОП
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
CD4511BE |
|
ИМС регистр хранения с дешифратором двоичного кода в 7-ми сегментный, КМОП
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
TIP142T |
|
Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
TIP142T |
|
Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A
|
FSC
|
|
|
|
|
|
TIP142T |
|
Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
TIP142T |
|
Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A
|
|
|
79.76
|
|
|
|
TIP142T |
|
Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
TIP142T |
|
Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
TIP142T |
|
Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
TIP142T |
|
Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
TIP142T |
|
Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A
|
ST MICROELECTRONICS
|
324
|
112.20
|
|
|
|
TIP142T |
|
Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
TIP142T |
|
Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
TIP142T |
|
Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
TIP142T |
|
Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A
|
1
|
|
|
|
|
|
TL081CN |
|
Операционный усилитель JFET, 4MHz, 13V/uS
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
TL081CN |
|
Операционный усилитель JFET, 4MHz, 13V/uS
|
|
|
26.28
|
|
|
|
TL081CN |
|
Операционный усилитель JFET, 4MHz, 13V/uS
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
TL081CN |
|
Операционный усилитель JFET, 4MHz, 13V/uS
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
TL081CN |
|
Операционный усилитель JFET, 4MHz, 13V/uS
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
TL081CN |
|
Операционный усилитель JFET, 4MHz, 13V/uS
|
ST1
|
|
|
|
|
|
TL081CN |
|
Операционный усилитель JFET, 4MHz, 13V/uS
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
ZD-70D 20/130W ПАЯЛЬНИК |
|
|
ZD
|
|
|
|
|
|
ZD-70D 20/130W ПАЯЛЬНИК |
|
|
|
|
|
|
|
|
ZD-70D 20/130W ПАЯЛЬНИК |
|
|
ZHONGDI
|
25
|
840.35
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
|
|
32.00
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
ЗПП
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
МИКРОН
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
МЕЗОН
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
656
|
216.48
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
РОДОН
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
ХАБАРОВСК
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
НОВОСИБИРСК
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
RUS
|
|
|
|