CSD10120A
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
Синонимы от поставщиков: CSD10120A ; CSD-10120A ; CSD 10120A ; CSD — 10120A ; CSD10120A ; диод CSD10120A ;
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD20060D | CREE |
|
|
||||
|
|
CSD20060D |
|
3 992.00 | |||||
|
|
CSD20060D | Cree Inc |
|
|
||||
| IPW60R099CP | INFINEON |
|
|
|||||
| IPW60R099CP | Infineon Technologies |
|
|
|||||
| IPW60R099CP |
|
1 469.20 | ||||||
 |
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц | 1 | 457.60 | ||
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц | МЕКСИКА |
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц | IR/VISHAY | 27 | 755.70 | |
 |
|
IXFK52N60Q2 |
|
Hiperfet power mosfets q2-class | IXYS |
|
|
