|
Корпус | 8-SOICN |
Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
Напряжение питания | 2.5 V ~ 5.5 V |
Интерфейс подключения | Microwire, 3-Wire Serial |
Скорость | 2MHz, 3MHz |
Тип памяти | EEPROM |
Объем памяти | 2K (256 x 8) |
Формат памяти | EEPROMs - Serial |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
93LC56A (EEPROM) 2K 2.5V Microwireand#174; Serial EEPROM Также в этом файле: 93LC56A-I/SN
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
0805-X7R-0.033UF 10% 50V | Керамический конденсатор 0.033мкФ, 50 В, 10%, X7R | MURATA | ||||||
0805-X7R-0.033UF 10% 50V | Керамический конденсатор 0.033мкФ, 50 В, 10%, X7R | 24 | 4.00 | |||||
25LC040-I/SN | MICRO CHIP | 39 | 30.00 | |||||
25LC040-I/SN | MICRON | |||||||
25LC040-I/SN | 312.48 | |||||||
25LC040-I/SN | MICRO CHIP | 43 | ||||||
25LC040-I/SN | Microchip Technology | |||||||
25LC640-I/P | MICRO CHIP | |||||||
25LC640-I/P | 138.16 | |||||||
25LC640-I/P | MICRO CHIP | |||||||
25LC640-I/P | Microchip Technology | |||||||
25LC640-I/P | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) | |||||||
25LC640-I/P | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) | |||||||
293D106X96R3A2TE3 | Конденсатор чип 6.3В, 10мкФ, 10% | VISHAY | 27 856 | 13.28 | ||||
293D106X96R3A2TE3 | Конденсатор чип 6.3В, 10мкФ, 10% | Vishay/Sprague | ||||||
293D106X96R3A2TE3 | Конденсатор чип 6.3В, 10мкФ, 10% | |||||||
CM453232-100KL | ЧИП индуктивность 10мкГн, корп 1812 | BOURNS | ||||||
CM453232-100KL | ЧИП индуктивность 10мкГн, корп 1812 | 49.16 |
|