JNR15S100L
Нелинейный терморезистор
|
|
Версия для печати
| Тип | JNR |
| Область применения | Ограничение пусковых токов |
| Конструктивное исполнение | Диск |
| Сопротивление при 25 грд.С, Ом | 10 |
| Точность, % | 15 |
| Максимальный рабочий ток, А | 5 |
| Диаметр корпуса, мм | 15 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
1N5819RL |
|
Диод Шоттки 40В, 1А | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
1N5819RL |
|
Диод Шоттки 40В, 1А | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
1N5819RL |
|
Диод Шоттки 40В, 1А |
|
14.00 | ||
|
|
|
1N5819RL |
|
Диод Шоттки 40В, 1А | ON SEMICONDUCTOR | 2 830 |
|
|
|
|
|
1N5819RL |
|
Диод Шоттки 40В, 1А | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|
|
|
|
1N5819RL |
|
Диод Шоттки 40В, 1А | STMicroelectronics |
|
|
|
| BP5041A15 |
|
|
||||||
| BP5041A15 | Rohm Semiconductor |
|
|
|||||
 |
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц | 1 | 457.60 | ||
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц | МЕКСИКА |
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц | IR/VISHAY | 15 | 755.70 | |
| ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 9.5 СИН. 0.5М |
|
60.60 | ||||||
| ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 9.5 СИН. 0.5М | ГЕРМАНИЯ |
|
|
