FQPF11P06

Версия для печати

Технические характеристики FQPF11P06

Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	175 mOhm @ 4.3A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Серия	QFET™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	8.6A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	17nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	550pF @ 25V
Power - Max	30W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3 Full Pack
Корпус	TO-220F

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FQPF11P06 (P-канальные транзисторные модули)

60v P-channel Mosfet

Производитель:
Fairchild Semiconductor
//www.fairchildsemi.com

FQPF11P06 datasheet
648.83Kb
8стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SD1415				128.00
2SD1415		KEC
AN5512	TV кадpовая pазвеpтка	MATSUSHITA
AN5512	TV кадpовая pазвеpтка		1	207.68
AN5512	TV кадpовая pазвеpтка	MAT
AN5512	TV кадpовая pазвеpтка	PAN
AN5512	TV кадpовая pазвеpтка	СИНГАПУР
PC817	Оптопаpа CTR 50%(5mA), Vce=35V	SHARP
PC817	Оптопаpа CTR 50%(5mA), Vce=35V		4	19.36
PC817	Оптопаpа CTR 50%(5mA), Vce=35V	SHARP
PC817	Оптопаpа CTR 50%(5mA), Vce=35V	КИТАЙ
PC817	Оптопаpа CTR 50%(5mA), Vce=35V	FAIRCHILD
RGP10J		FAIR
RGP10J		GENERAL SEMICONDUCTOR
RGP10J		FAIRCHILD
RGP10J		FAIRCHILD
RGP10J		GENERAL SEMICONDUCTOR	5 141
RGP10J
RGP10J		Fairchild Semiconductor
TDA7296	Усилитель низкой частоты DMOS, 2x30W (2x24V/8 Ом), THD<0.5%, max 2x60W	ST MICROELECTRONICS
TDA7296	Усилитель низкой частоты DMOS, 2x30W (2x24V/8 Ом), THD<0.5%, max 2x60W		1	514.80
TDA7296	Усилитель низкой частоты DMOS, 2x30W (2x24V/8 Ом), THD<0.5%, max 2x60W	ST MICROELECTRONICS SEMI
TDA7296	Усилитель низкой частоты DMOS, 2x30W (2x24V/8 Ом), THD<0.5%, max 2x60W	STMicroelectronics
TDA7296	Усилитель низкой частоты DMOS, 2x30W (2x24V/8 Ом), THD<0.5%, max 2x60W	ST MICROELECTRO
TDA7296	Усилитель низкой частоты DMOS, 2x30W (2x24V/8 Ом), THD<0.5%, max 2x60W	1