MRA4007T3G
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V (1kV) |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10µA @ 1000V |
| Diode Type | Standard |
| Скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | DO-214AC, SMA |
| Корпус | SMA |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц | 1 | 457.60 | ||
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц | МЕКСИКА |
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц | IR/VISHAY | 15 | 755.70 |
