SI2302DS


Купить SI2302DS ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
SI2302DS
Версия для печати

Технические характеристики SI2302DS

FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияTrenchMOS™
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs85 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C2.5A
Vgs(th) (Max) @ Id650mV @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs10nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds230pF @ 10V
Power - Max830mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
КорпусTO-236AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Si2302DS

N-Channel 1.25-W, 2.5-V MOSFET

Производитель:
Vishay
//www.vishay.com

SI2302DS datasheet
84.49Kb
5стр.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
FDN327N N-channel 1.8 vgs specified powertrench mosfet   FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
FDN327N N-channel 1.8 vgs specified powertrench mosfet   FSC Заказ радиодеталей цена радиодетали
FDN327N N-channel 1.8 vgs specified powertrench mosfet   FAIRCHILD Заказ радиодеталей цена радиодетали
FDN327N N-channel 1.8 vgs specified powertrench mosfet   FAIRCHILD 2 154 цена радиодетали
FDN327N N-channel 1.8 vgs specified powertrench mosfet   Fairchild Semiconductor Заказ радиодеталей цена радиодетали
FDN327N N-channel 1.8 vgs specified powertrench mosfet   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
FDN327N N-channel 1.8 vgs specified powertrench mosfet     Заказ радиодеталей цена радиодетали
FDN327N N-channel 1.8 vgs specified powertrench mosfet   ONS Заказ радиодеталей цена радиодетали
FDN327N N-channel 1.8 vgs specified powertrench mosfet   ONSEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRLR3717 Hexfet power mosfets discrete n-channel   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRLR3717 Hexfet power mosfets discrete n-channel   INTERNATIONAL RECTIFIER 38 цена радиодетали
IRLR3717 Hexfet power mosfets discrete n-channel     Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRLR3717 Hexfet power mosfets discrete n-channel   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
MBR0520LT1G Диод Шоттки smd (U=20V, I=0.5A, Vf=0.385V@I=0.5A&T=25C, Vf=0.33V@I=0.5A&T=100C, -65 to ...   FAI/QTC Заказ радиодеталей цена радиодетали
MBR0520LT1G Диод Шоттки smd (U=20V, I=0.5A, Vf=0.385V@I=0.5A&T=25C, Vf=0.33V@I=0.5A&T=100C, -65 to ...   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
MBR0520LT1G Диод Шоттки smd (U=20V, I=0.5A, Vf=0.385V@I=0.5A&T=25C, Vf=0.33V@I=0.5A&T=100C, -65 to ...     24 036 5.10 
MBR0520LT1G Диод Шоттки smd (U=20V, I=0.5A, Vf=0.385V@I=0.5A&T=25C, Vf=0.33V@I=0.5A&T=100C, -65 to ...   ONS 880 35.42 
MBR0520LT1G Диод Шоттки smd (U=20V, I=0.5A, Vf=0.385V@I=0.5A&T=25C, Vf=0.33V@I=0.5A&T=100C, -65 to ...   ON SEMICONDUCTOR 9 884 цена радиодетали
MBR0520LT1G Диод Шоттки smd (U=20V, I=0.5A, Vf=0.385V@I=0.5A&T=25C, Vf=0.33V@I=0.5A&T=100C, -65 to ...   ONSEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
MBR0520LT1G Диод Шоттки smd (U=20V, I=0.5A, Vf=0.385V@I=0.5A&T=25C, Vf=0.33V@I=0.5A&T=100C, -65 to ...   ON SEMICONDUCTO Заказ радиодеталей цена радиодетали
MBR0520LT1G Диод Шоттки smd (U=20V, I=0.5A, Vf=0.385V@I=0.5A&T=25C, Vf=0.33V@I=0.5A&T=100C, -65 to ...   ONS-FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
MBR0520LT1G Диод Шоттки smd (U=20V, I=0.5A, Vf=0.385V@I=0.5A&T=25C, Vf=0.33V@I=0.5A&T=100C, -65 to ...   HOTTECH Заказ радиодеталей цена радиодетали
MBR0520LT1G Диод Шоттки smd (U=20V, I=0.5A, Vf=0.385V@I=0.5A&T=25C, Vf=0.33V@I=0.5A&T=100C, -65 to ...   ONSEMI 18 577 9.35 
  MTS-103 ON-OFF-ON       3 760 34.25 
    TECAP 22/10V B 10 Электролитический танталовый конденсатор 22 мкФ 10 В   VISHAY Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход