STP8NK100Z

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
STP8NK100Z		557.60

Версия для печати

Технические характеристики STP8NK100Z

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	SuperMESH™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.85 Ohm @ 3.15A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	1000V (1kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	6.5A
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	102nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2180pF @ 25V
Power - Max	160W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STP8NK100Z (MOSFET)

N-CHANNEL 1000V - 1.60? - 6.5A - TO-220 Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STP8NK100Z datasheet
294.7 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2N2222A (PN2222A)	Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)	МИНСК
2N2222A (PN2222A)	Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
2N4403G	Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)	ON SEMICONDUCTOR
2N4403G	Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)	ONS
2N4403G	Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)	ON SEMICONDUCTOR
2N4403G	Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)	ON SEMICONDUCTO
2N4403G	Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)
CC1206KKX7RCBB103	Керамический конденсатор 0.01 мкФ 1 кВ	YAGEO	329 564	1.88 >100 шт. 0.94
CC1206KKX7RCBB103	Керамический конденсатор 0.01 мкФ 1 кВ
IRF9520S	Транзистор полевой P-канальный MOSFET (100В, 6.8А)	VISHAY
IRF9520S	Транзистор полевой P-канальный MOSFET (100В, 6.8А)	Vishay/Siliconix
IRF9520S	Транзистор полевой P-канальный MOSFET (100В, 6.8А)	VISHAY/IR
IRF9520S	Транзистор полевой P-канальный MOSFET (100В, 6.8А)
КОРПУС ДЛЯ РЭА G 0471		GAINTA
КОРПУС ДЛЯ РЭА G 0471		ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)