|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BYV29-500 |
|
Диод S-D 500В 7.4A SOD59
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BYV29-500 |
|
Диод S-D 500В 7.4A SOD59
|
|
|
|
|
|
|
BYV29-500 |
|
Диод S-D 500В 7.4A SOD59
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BYV29-500 |
|
Диод S-D 500В 7.4A SOD59
|
NXP
|
|
|
|
|
|
CC1206KKX5R6BB106 |
|
Керамический ЧИП конденсатор.10 мкФ, X5R, 10%, 1206, 10B
|
YAGEO
|
15 551
|
2.67
|
|
|
|
CC1206KKX5R6BB106 |
|
Керамический ЧИП конденсатор.10 мкФ, X5R, 10%, 1206, 10B
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
CC1206KKX5R6BB106 |
|
Керамический ЧИП конденсатор.10 мкФ, X5R, 10%, 1206, 10B
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
CC1206KKX5R6BB106 |
|
Керамический ЧИП конденсатор.10 мкФ, X5R, 10%, 1206, 10B
|
|
|
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
SILAB
|
15 223
|
245.32
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
|
3 600
|
191.63
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
SILICON LABS
|
208
|
258.30
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
SLAB
|
|
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
SILICON LABS
|
5 587
|
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
Silicon Laboratories Inc
|
|
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
|
|
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
SILICONLABS
|
|
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
SLB
|
|
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
1
|
|
|
|
|
|
IRFP450 |
|
Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
4
|
238.14
|
|
|
|
IRFP450 |
|
Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFP450 |
|
Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W
|
|
481
|
88.20
|
|
|
|
IRFP450 |
|
Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IRFP450 |
|
Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFP450 |
|
Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRFP450 |
|
Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRFP450 |
|
Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W
|
INTRESIL
|
|
|
|
|
|
IRFP450 |
|
Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
IRFP450 |
|
Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W
|
IR/VISHAY
|
12
|
217.80
|
|
|
|
IRFP450 |
|
Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W
|
1
|
|
|
|
|
|
USBUF02W6 |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
2 492
|
27.73
|
|
|
|
USBUF02W6 |
|
|
|
24
|
88.20
|
|
|
|
USBUF02W6 |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
76
|
|
|
|
|
USBUF02W6 |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
USBUF02W6 |
|
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|