DTC114ES
NPN DIGITAL, 50V, 50mA, 10/10кОм
|
|
Версия для печати
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Resistor - Base (R1) (Ohms) | 10K |
| Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 10K |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Power - Max | 300mW |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | SC-72-3, SPT |
| Корпус | SPT |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
PDTC114ES Npn Resistor-equipped Transistor
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
DTA114ES |
|
Транзистор биполярный цифровой | ROHM |
|
|
|
|
|
|
DTA114ES |
|
Транзистор биполярный цифровой |
|
18.76 | ||
|
|
DTC144WS | ROHM |
|
|
||||
|
|
DTC144WS |
|
|
|||||
| PDTA143ZT | NXP |
|
|
|||||
| PDTA143ZT |
|
|
||||||
| PDTC114ET | PHILIPS |
|
|
|||||
| PDTC114ET | NXP |
|
|
|||||
| PDTC114ET |
|
10.00 | ||||||
| PDTC114ET | NXP | 2 736 |
|
|||||
| PDTC114ET | PHILIPS | 1 780 |
|
|||||
| PDTC114ET | NXP/NEXPERIA | 1 992 | 2.28 | |||||
| ULN2803APG |
|
8xDarl-Dr. 50V 0,5A TTL/CMOS | TOSHIBA | 2 153 | 93.48 | |||
| ULN2803APG |
|
8xDarl-Dr. 50V 0,5A TTL/CMOS | TOS | 80 | 102.35 | |||
| ULN2803APG |
|
8xDarl-Dr. 50V 0,5A TTL/CMOS | 8 | 52.80 | ||||
| ULN2803APG |
|
8xDarl-Dr. 50V 0,5A TTL/CMOS | TOSHIBA |
|
|
|||
| ULN2803APG |
|
8xDarl-Dr. 50V 0,5A TTL/CMOS | TOSHBA |
|
|
|||
| ULN2803APG |
|
8xDarl-Dr. 50V 0,5A TTL/CMOS | 1 |
|
|
