|
Корпус | NS-B1 |
Корпус (размер) | NS-B1 |
Тип монтажа | Выводной |
Frequency - Transition | 150MHz |
Power - Max | 300mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 2mA, 10V |
Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Transistor Type | NPN |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
2SC3311A (Универсальные биполярные транзисторы) Silicon NPN epitaxial planer type
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2SA1309 | Биполярный транзистор | MATSUSHITA | ||||||
2SA1309 | Биполярный транзистор | 7.44 |
|