Версия для печати

BU508DF SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR Производитель: Wing Shing Electronic //www.wingshing.com BU508D datasheet 144.7Kb 1стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SD1455		Биполярный транзистор	HITACHI	8	193.80
		2SD1455		Биполярный транзистор			47.76
		2SD1555		Биполярный транзистор NPN+D (1500V, 5A, 50W)	TOSHIBA	26	168.30
		2SD1555		Биполярный транзистор NPN+D (1500V, 5A, 50W)		1	484.80
		2SD1555		Биполярный транзистор NPN+D (1500V, 5A, 50W)	TOS
		2SD1555		Биполярный транзистор NPN+D (1500V, 5A, 50W)	UNKNOWN
		2SD1555		Биполярный транзистор NPN+D (1500V, 5A, 50W)	КИТАЙ
		2SD1555		Биполярный транзистор NPN+D (1500V, 5A, 50W)	NSC
		2SD1555		Биполярный транзистор NPN+D (1500V, 5A, 50W)	ISCSEMI
		BU508DW		Транзистор биполярный большой мощности S-N 1500В 8A	FAIR
		BU508DW		Транзистор биполярный большой мощности S-N 1500В 8A	PHILIPS	59	130.00
		BU508DW		Транзистор биполярный большой мощности S-N 1500В 8A	NXP	44	130.00
		BU508DW		Транзистор биполярный большой мощности S-N 1500В 8A		10	252.00
		BU508DW		Транзистор биполярный большой мощности S-N 1500В 8A	PHILIPS	4 064
		BU508DW		Транзистор биполярный большой мощности S-N 1500В 8A	1
		КТ872В				1	72.00
		КТ872В			ФРЯЗИНО	7	100.00
		КТ872В			ИНТЕГРАЛ	80	204.00
		КТ872Г					144.00
		КТ872Г			МИНСК
		КТ872Г			ИНТЕГРАЛ	16	204.00

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		10A05 (10A 50V)
		16K1 F 100K		Резистор углеродистый 0,125Вт, 100кОм		555	17.42
		16K1 F 100K		Резистор углеродистый 0,125Вт, 100кОм	RUICHI
		KNP-1W-0.51 5%		Резистор постоянный проволочный	YAGEO
		KNP-1W-0.51 5%		Резистор постоянный проволочный			6.36
		КТ603А		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n, для применения в ...		364	66.30
		КТ603А		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n, для применения в ...	ПЛАНЕТА
		КТ603А		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n, для применения в ...	МИНСК
		КТ603А		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n, для применения в ...	СВЕТЛАНА
		КТ603А		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n, для применения в ...	ВОРОНЕЖ
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	КРЕМНИЙ	49	1 331.10
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N		15	393.75
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ФЗМТ
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	БРЯНСК	244	1 460.00
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ЭЛЕКТРОПРИБОР
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ФРЯЗИНО
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	RUS

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"