Версия для печати
Технические характеристики HFA30TA60C

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Серия	HEXFRED®
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.7V @ 15A
Current - Reverse Leakage @ Vr	10µA @ 600V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)	15A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	600V
Reverse Recovery Time (trr)	60ns
Diode Type	Standard
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Configuration	1 Pair Common Cathode
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

HFA30TA60CS (Дискретные сигналы) 600V 30A Hexfred Common Cathode Diode inA D2-Pak (HEXFRED) Package Также в этом файле: HFA30TA60CSTR, HFA30TA60CSTRL, HFA30TA60CSTRR Производитель: International Rectifier //www.irf.com HFA30TA60C datasheet 163.28Kb 6стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Диоды

 » 

Диоды, выпрямители - сборки

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		150EBU04		Диод быстродействующий импульсный, 400В, 150А, 60нс	VISHAY
		150EBU04		Диод быстродействующий импульсный, 400В, 150А, 60нс			1 140.00
		150EBU04		Диод быстродействующий импульсный, 400В, 150А, 60нс	INTERNATIONAL RECTIFIER
		150EBU04		Диод быстродействующий импульсный, 400В, 150А, 60нс	Vishay/Semiconductors
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ON SEMICONDUCTOR
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	LESHAN RADIO COMPANY
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NXP
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONS	1	1.49
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)		8 414	2.40
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	LESHAN RADIO COMPANY, LTD
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ON SEMICONDUCTOR	11 847
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ON SEMICONDUCTO
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONSEMICONDUCTOR
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	LRC
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONSEMI
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FUXIN	25 064	1.05
		IRG4PC50W		Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 55A, 200W (WARP 60-150kHz)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRG4PC50W		Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 55A, 200W (WARP 60-150kHz)			380.84
		IRG4PC50W		Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 55A, 200W (WARP 60-150kHz)	МЕКСИКА
		IRG4PC50W		Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 55A, 200W (WARP 60-150kHz)	INFINEON
		UCC2895DW			TEXAS INSTRUMENTS
		UCC2895DW					1 369.32
		UCC2895DW			TEXAS INSTRUMENTS
		UCC2895DW			UNITRODE INTEGRATED CIRCUITS C
		UCC2895DW			TEXAS
		КД 522Б ИМП.(1N4148)		Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"