SQP-5W100R (5ВТ,100 ,5%)

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SK1643	Транзистор полевой		1	398.40
2SK1643	Транзистор полевой	TOSHIBA
FGH40N60UFDTU	Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт	FAIRCHILD
FGH40N60UFDTU	Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт	Fairchild Semiconductor
FGH40N60UFDTU	Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт	FSC
FGH40N60UFDTU	Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт	FAIR
FGH40N60UFDTU	Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт
FGH40N60UFDTU	Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт	FAIRCHILD
FGH40N60UFDTU	Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт	ONSEMICONDUCTOR
FGH40N60UFDTU	Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт	ONS	272	472.32
FGH40N60UFDTU	Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт	ONS-FAIR
IRGP4068D	IGBT транзистор 600В, 330Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRGP4068D	IGBT транзистор 600В, 330Вт
IRGP4068D	IGBT транзистор 600В, 330Вт	INFINEON
IRGP4068D	IGBT транзистор 600В, 330Вт	1
IRGP50B60PD1	Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRGP50B60PD1	Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц		1	457.60
IRGP50B60PD1	Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц	МЕКСИКА
IRGP50B60PD1	Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц	INFINEON
IRGP50B60PD1	Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц	IR/VISHAY	15	755.70
SQP-15W68R (15ВТ,68 ,5%)