Версия для печати
Технические характеристики JNR20S050M

Тип	JNR
Область применения	Ограничение пусковых токов
Конструктивное исполнение	Диск
Сопротивление при 25 грд.С, Ом	5
Точность, %	20
Максимальный рабочий ток, А	7
Диаметр корпуса, мм	20

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Датчики, сенсоры

 » 

Датчики температуры

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		14.7456 MHZ HC-49S			ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		14.7456 MHZ HC-49S			CHINA
		STP4NK60Z		N-канальный Полевой транзистор MOSFET, VDS,В = 600, ID = 4 A, Ptot	ST MICROELECTRONICS
		STP4NK60Z		N-канальный Полевой транзистор MOSFET, VDS,В = 600, ID = 4 A, Ptot			123.56
		STP4NK60Z		N-канальный Полевой транзистор MOSFET, VDS,В = 600, ID = 4 A, Ptot	ST MICROELECTRONICS SEMI
		STP4NK60Z		N-канальный Полевой транзистор MOSFET, VDS,В = 600, ID = 4 A, Ptot	STMicroelectronics
		STP4NK60Z		N-канальный Полевой транзистор MOSFET, VDS,В = 600, ID = 4 A, Ptot	КИТАЙ
		STP4NK60ZFP		N-MOS 600V, 4A, 25W	ST MICROELECTRONICS	400	38.74
		STP4NK60ZFP		N-MOS 600V, 4A, 25W		57	86.40
		STP4NK60ZFP		N-MOS 600V, 4A, 25W	STMicroelectronics
		STP4NK60ZFP		N-MOS 600V, 4A, 25W	ST MICROELECTRONICS SEMI
		STP4NK60ZFP		N-MOS 600V, 4A, 25W	ТАИЛАНД
		STP4NK60ZFP		N-MOS 600V, 4A, 25W	ST1
		STP4NK60ZFP		N-MOS 600V, 4A, 25W	ST MICROELECTRO
		STP4NK60ZFP		N-MOS 600V, 4A, 25W	STMICROELECTR
		КТ503Г		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...	КРЕМНИЙ
		КТ503Г		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...		229	14.40
		КТ503Г		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...	АЛЕКСАНДРОВ
		КТ503Г		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...	МИНСК
		КТ503Г		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...	БРЯНСК	4 623	15.20
		КТ503Г		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...	ИНТЕГРАЛ
		КТ503Г		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...	НАЛЬЧИК
		КТ503Г		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...	ЭЛЕКС	496	28.54
		КТ817В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...		990	27.12
		КТ817В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	КРЕМНИЙ	532	35.70
		КТ817В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	БРЯНСК	2 580	32.00
		КТ817В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	МИНСК
		КТ817В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	УЛЬЯНОВСК
		КТ817В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
		КТ817В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	RUS
		КТ817В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	ИНТЕГРАЛ
		КТ817В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	ЭЛЬТАВ	5 647	12.00

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"