|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
3266W-1-102 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 1 кОм 1/4``
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3266W-1-102 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 1 кОм 1/4``
|
BARONS
|
|
|
|
|
|
3266W-1-102 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 1 кОм 1/4``
|
BI TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
3266W-1-102 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 1 кОм 1/4``
|
|
|
51.12
|
|
|
|
3266W-1-102 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 1 кОм 1/4``
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
3266W-1-102 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 1 кОм 1/4``
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
3266W-1-102 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 1 кОм 1/4``
|
BOCHEN
|
1 562
|
16.77
|
|
|
|
IRLML6401TR |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6401TR |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
|
|
20.24
|
|
|
|
IRLML6401TR |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6401TR |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML6401TR |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
IRLML6401TR |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
VBSEMI
|
|
|
|
|
|
IRLML6401TR |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
TECH PUB
|
332
|
5.90
|
|
|
|
IRLML6401TR |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
TRR
|
97
|
5.54
|
|
|
|
IRLML6401TR |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
YOUTAI
|
112 512
|
2.24
|
|
|
|
КСОТ-2Г-500В-1200 ПФ 5% |
|
|
|
|
|
|
|
|
КТ630Б |
|
Транзистор кремниевый планарный структуры n-p-n универсальный
|
|
17
|
334.40
|
|
|
|
КТ630Б |
|
Транзистор кремниевый планарный структуры n-p-n универсальный
|
КРЕМНИЙ
|
40
|
647.70
|
|
|
|
КТ630Б |
|
Транзистор кремниевый планарный структуры n-p-n универсальный
|
БРЯНСК
|
404
|
730.00
|
|
|
|
КТ630Б |
|
Транзистор кремниевый планарный структуры n-p-n универсальный
|
ГРАВИТОН
|
|
|
|
|
|
КТ630Б |
|
Транзистор кремниевый планарный структуры n-p-n универсальный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ815А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...
|
|
303
|
29.75
|
|
|
|
КТ815А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
35.70
|
|
|
|
КТ815А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...
|
БРЯНСК
|
1 856
|
34.00
|
|
|
|
КТ815А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ815А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ815А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|