Версия для печати
Технические характеристики B32924C3225M

Возможности	EMI Suppression
Termination	PC Pins
Size / Dimension	1.240" L x 0.551" W (31.50mm x 14.00mm)
Корпус (размер)	Radial
Допустимые отклонения емкости	±20%
Dielectric Material	Polypropylene, Metallized
Voltage - DC	630V
Voltage - AC	305V
Емкость	2.2µF
Серия	MKP B32924
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Тип	Пленочный
Рабочая температура	-40°C ~ 110°C
Lead Spacing	1.083" (27.50mm)
Тип монтажа	Выводной
Высота	0.965" (24.50mm)
Tolerance	±20%

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

 » 

Пленочные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		3296W-200К		Резистор переменный подстроечный непроволочный многооборотный	CHINA NATIONAL
		3296W-200К		Резистор переменный подстроечный непроволочный многооборотный			17.72
		B32923C3105M		Пленочный конденсатор радиальный 1мкФ, 305В, 20%	EPCOS
		B32923C3105M		Пленочный конденсатор радиальный 1мкФ, 305В, 20%			60.00
		B32923C3105M		Пленочный конденсатор радиальный 1мкФ, 305В, 20%	EPCOS Inc
		B32923C3105M		Пленочный конденсатор радиальный 1мкФ, 305В, 20%	EPCOS
		B32923C3105M		Пленочный конденсатор радиальный 1мкФ, 305В, 20%	КИТАЙ
		B32923C3105M		Пленочный конденсатор радиальный 1мкФ, 305В, 20%	TDK EPCOS
		B32923C3105M		Пленочный конденсатор радиальный 1мкФ, 305В, 20%	TDK-EPC
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ON SEMICONDUCTOR
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	LESHAN RADIO COMPANY
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NXP
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONS	1	1.75
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)		7 614	2.66
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	LESHAN RADIO COMPANY, LTD
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ON SEMICONDUCTOR	11 847
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ON SEMICONDUCTO
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONSEMICONDUCTOR
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	LRC
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONSEMI
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FUXIN	41 639	1.08
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz			6.36
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	FAIR
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	PHILIPS
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	NXP
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	ON SEMICONDUCTOR
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	FAIRCHILD
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	UNKNOWN
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	FAIRCHILD
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	NXP
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	ON SEMICONDUCTOR	2 416
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	PHILIPS	152
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	Fairchild Semiconductor
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	ТАИЛАНД
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	ONS
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	FSC1
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	FSC
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	HOTTECH	560	5.90
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	JSCJ	11 401	3.83
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	TEXAS INSTRUMENTS	80	38.25
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ON SEMICONDUCTOR
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	PHILIPS
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ST MICROELECTRONICS	936	33.15
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц			16.04
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	UTC
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ON SEMICONDUCTOR
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	PHILIPS
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ST MICROELECTRONICS SEMI
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	TEXAS INSTRUMENTS
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	STMicroelectronics
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ГЕРМАНИЯ
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	КИТАЙ
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	TEXAS
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	STMICROELECTR
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	HTC TAEJIN
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	1
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	IDCHIP	4 292	4.12

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"