|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
AD8217BRMZ |
|
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
AD8217BRMZ |
|
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
AD8217BRMZ |
|
|
|
|
|
|
|
|
AD8217BRMZ |
|
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
IRF7103 |
|
Сдвоенный N-канальный полевой транзистор (Vds=50V, Id=3.0A@t=25C, 2.3A@t=70C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF7103 |
|
Сдвоенный N-канальный полевой транзистор (Vds=50V, Id=3.0A@t=25C, 2.3A@t=70C)
|
|
|
47.92
|
|
|
|
IRF7103 |
|
Сдвоенный N-канальный полевой транзистор (Vds=50V, Id=3.0A@t=25C, 2.3A@t=70C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF7103 |
|
Сдвоенный N-канальный полевой транзистор (Vds=50V, Id=3.0A@t=25C, 2.3A@t=70C)
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
IRF7103 |
|
Сдвоенный N-канальный полевой транзистор (Vds=50V, Id=3.0A@t=25C, 2.3A@t=70C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...
|
|
|
904.00
|
|
|
|
IRG4PC50UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...
|
IR/VISHAY
|
13
|
945.00
|
|
|
|
LM2594DADJR2G |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
LM2594DADJR2G |
|
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
LM2594DADJR2G |
|
|
|
|
|
|
|
|
M24C01-WDW6TP |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
M24C01-WDW6TP |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
1 266
|
|
|
|
|
M24C01-WDW6TP |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
M24C01-WDW6TP |
|
|
|
|
|
|
|
|
M24C01-WDW6TP |
|
|
|
|
|
|