MBT6429DW1T1G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
MBT6429DW1T1G (ON SEMICONDUCTOR.)	16 500	3-4 недели Цена по запросу

TRANS DUAL NPN 200MA 40V SOT-363

Версия для печати

Технические характеристики MBT6429DW1T1G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Product Change Notification	Wire Change 08/Jun/2009
Transistor Type	2 NPN (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max)	200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max)	100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	500 @ 100µA, 5V
Power - Max	150mW
Frequency - Transition	700MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Корпус	SOT-363

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

MBT6429DW1T1G datasheet