Версия для печати
Технические характеристики ATTINY2313A-MU

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	AVR® ATtiny
Процессор	AVR
Размер ядра	8-Bit
Скорость	20MHz
Подключения	I²C, SPI, UART/USART
Периферия	Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT
Число вводов/выводов	18
Размер программируемой памяти	2KB (1K x 16)
Тип программируемой памяти	FLASH
EEPROM Size	128 x 8
Размер памяти	128 x 8
Напряжение источника (Vcc/Vdd)	1.8 V ~ 5.5 V
Тип осцилятора	Internal
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Корпус (размер)	20-WFQFN Exposed Pad

ATTINY2313A-MU datasheet

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Микроконтроллеры

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		ATTINY2313-20SU		8- бит AVR RISC микроконтроллер 2K ISP Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 18 I/O ...	ATMEL	1 984	300.00
		ATTINY2313-20SU		8- бит AVR RISC микроконтроллер 2K ISP Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 18 I/O ...		102	422.28
		ATTINY2313-20SU		8- бит AVR RISC микроконтроллер 2K ISP Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 18 I/O ...	ATMEL CORPORATION
		ATTINY2313-20SU		8- бит AVR RISC микроконтроллер 2K ISP Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 18 I/O ...	США
		ATTINY2313-20SU		8- бит AVR RISC микроконтроллер 2K ISP Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 18 I/O ...	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		ATTINY2313-20SU		8- бит AVR RISC микроконтроллер 2K ISP Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 18 I/O ...	MICRO CHIP	760	806.88
		ATTINY2313-20SU		8- бит AVR RISC микроконтроллер 2K ISP Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 18 I/O ...	MICRO CHIP
		SA04-11GWA		7-сегментный светодиод, общий анод, 10,16mm, зеленый (568 нм), белый сегмент на сером фоне	KB
		SA04-11GWA		7-сегментный светодиод, общий анод, 10,16mm, зеленый (568 нм), белый сегмент на сером фоне	KINGBRIGHT	115	76.00
		SA04-11GWA		7-сегментный светодиод, общий анод, 10,16mm, зеленый (568 нм), белый сегмент на сером фоне			72.00
		SA04-11GWA		7-сегментный светодиод, общий анод, 10,16mm, зеленый (568 нм), белый сегмент на сером фоне	KGB	583	128.46
		SA04-11GWA		7-сегментный светодиод, общий анод, 10,16mm, зеленый (568 нм), белый сегмент на сером фоне	Kingbright Corp
		SA04-11GWA		7-сегментный светодиод, общий анод, 10,16mm, зеленый (568 нм), белый сегмент на сером фоне	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		SA04-11GWA		7-сегментный светодиод, общий анод, 10,16mm, зеленый (568 нм), белый сегмент на сером фоне	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		SA56-11EWA		7-сегментный светодиод, общий анод, 14,22mm, красный (625 нм), белый сегмент на сером фоне	KB
		SA56-11EWA		7-сегментный светодиод, общий анод, 14,22mm, красный (625 нм), белый сегмент на сером фоне	KINGBRIGHT
		SA56-11EWA		7-сегментный светодиод, общий анод, 14,22mm, красный (625 нм), белый сегмент на сером фоне			55.88
		SA56-11EWA		7-сегментный светодиод, общий анод, 14,22mm, красный (625 нм), белый сегмент на сером фоне	KGB	564	129.80
		SA56-11EWA		7-сегментный светодиод, общий анод, 14,22mm, красный (625 нм), белый сегмент на сером фоне	Kingbright Corp
		SA56-11EWA		7-сегментный светодиод, общий анод, 14,22mm, красный (625 нм), белый сегмент на сером фоне	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		SA56-11EWA		7-сегментный светодиод, общий анод, 14,22mm, красный (625 нм), белый сегмент на сером фоне	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		SA56-11EWA		7-сегментный светодиод, общий анод, 14,22mm, красный (625 нм), белый сегмент на сером фоне	КИТАЙ
		SA56-11EWA		7-сегментный светодиод, общий анод, 14,22mm, красный (625 нм), белый сегмент на сером фоне	KINGBRIGHT	83
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс		11 352	10.50
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	БРЕСТ
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	П/П 1
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	ЦВЕТОТРОН	10 612	9.10
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	RUS
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	СЗТП	800	20.40
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	МИНСК
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	П/П 2
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	РОССИЯ
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	ОРБИТА	4 720	25.58
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	КРЕМНИЙ	89	1 331.10
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N		34	822.50
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ФЗМТ
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	БРЯНСК	248	1 460.00
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ЭЛЕКТРОПРИБОР
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ФРЯЗИНО	273	470.00
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	RUS

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"