NCP5181DR2G
|
| Название (производитель) |
Доступно для заказа |
Цена, руб.,без НДС |
Купить |
|
NCP5181DR2G (ON SEMICONDUCTOR.) |
382 |
3-4 недели
Цена по запросу
|
|
|
Версия для печати
Технические характеристики NCP5181DR2G
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Конфигурация | Half Bridge |
| Тип входа | Non-Inverting |
| Время задержки | 100ns |
| Ток пиковое значение | 1.4A |
| Число конфигураций | 1 |
| Число выходов | 2 |
| Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка) | 600V |
| Напряжение питания | 10 V ~ 20 V |
| Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOICN |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
