IRF7807Z

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRF7807Z (INTERNATIONAL RECTIFIER)	800	107.10
IRF7807Z	704	29.15

Версия для печати

Технические характеристики IRF7807Z

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13.8 mOhm @ 11A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	11A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.25V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	11nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	770pF @ 15V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF7807Z (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF7807Z datasheet
214.5 Кб