IRF7341PBF

Версия для печати

Технические характеристики IRF7341PBF

Power - Max	2W
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	740pF @ 25V
Gate Charge (Qg) @ Vgs	36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4.7A
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50 mOhm @ 4.7A, 10V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	2 N-Channel (Dual)
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BAT721A,215		NXP Semiconductors
BAT721A,215		NXP
BAT721A,215		NEX
BAT721A,215
FQP19N20C	200v n-channel mosfet	FSC
FQP19N20C	200v n-channel mosfet	Fairchild Semiconductor
FQP19N20C	200v n-channel mosfet
FQP19N20C	200v n-channel mosfet	FSC1
FQP19N20C	200v n-channel mosfet	ONS
IRF7316	P-канальный Полевой транзистор (Vds=-30V, Id=-4.9A, Rds=58m R)	INTERNATIONAL RECTIFIER	400	86.70
IRF7316	P-канальный Полевой транзистор (Vds=-30V, Id=-4.9A, Rds=58m R)			72.00
IRF7316	P-канальный Полевой транзистор (Vds=-30V, Id=-4.9A, Rds=58m R)	ТАИЛАНД
IRF7316	P-канальный Полевой транзистор (Vds=-30V, Id=-4.9A, Rds=58m R)	INFINEON
IRF7316	P-канальный Полевой транзистор (Vds=-30V, Id=-4.9A, Rds=58m R)	TECH PUB	3 740	17.18
IRFR3411PBF		INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFR3411PBF		INFINEON
IRFR3411PBF
XC6SLX45-2FGG484I		Xilinx Inc
XC6SLX45-2FGG484I		XILINX	39
XC6SLX45-2FGG484I		XILINX
XC6SLX45-2FGG484I