|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BZV55-C16 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, 16В, 24мА
|
DC COMPONENTS
|
55 760
|
2.38
|
|
|
|
BZV55-C16 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, 16В, 24мА
|
NXP
|
8 947
|
1.53
|
|
|
|
BZV55-C16 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, 16В, 24мА
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZV55-C16 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, 16В, 24мА
|
NXP
|
25 136
|
|
|
|
|
BZV55-C16 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, 16В, 24мА
|
PHILIPS
|
1 684
|
|
|
|
|
BZV55-C16 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, 16В, 24мА
|
|
|
|
|
|
|
IDD06E60 |
|
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IDD06E60 |
|
|
|
|
66.80
|
|
|
|
IDD06E60 |
|
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
IDD06E60 |
|
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
SGB15N60HS |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) с низкими потерями проводимости ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
SGB15N60HS |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) с низкими потерями проводимости ...
|
|
|
360.00
|
|
|
|
SGB15N60HS |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) с низкими потерями проводимости ...
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
STTH12R06G-TR |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
STTH12R06G-TR |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STTH12R06G-TR |
|
|
|
1
|
216.00
|
|
|
|
STTH2003CG |
|
Диод выпрямительныйный двойной 300V, 10A, D2P
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
STTH2003CG |
|
Диод выпрямительныйный двойной 300V, 10A, D2P
|
|
|
192.00
|
|
|
|
STTH2003CG |
|
Диод выпрямительныйный двойной 300V, 10A, D2P
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STTH2003CG |
|
Диод выпрямительныйный двойной 300V, 10A, D2P
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|