TZC3R100A110, 3-10ПФ, SMD КОНДЕНСАТОР ПОДСТРОЕЧНЫЙ

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
152-K103 USBB-1J		NXU
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	INTERNATIONAL RECTIFIER	10	56.00
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	VISHAY	1	70.56
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	ST MICROELECTRONICS
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А		5 513	23.77
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	ST MICROELECTRONICS SEMI
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	Vishay/Siliconix
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	STMicroelectronics
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	КИТАЙ
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	IR/VISHAY
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	MINOS	746	37.28
LQH32CN100K53L	Индуктивность чип на феррите 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)	MURATA
LQH32CN100K53L	Индуктивность чип на феррите 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)
LQH32CN100K53L	Индуктивность чип на феррите 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)	MURATA	3 840
LQH32CN100K53L	Индуктивность чип на феррите 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)	Murata Electronics North America
LQH32CN100K53L	Индуктивность чип на феррите 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)	MUR	2 169	10.09
LQH32CN101K23L-100 МКГН-10%			19 971	15.84
TJ6-8P8C			328	66.88
TJ6-8P8C			328	66.88
TJ6-8P8C		BM
TJ6-8P8C		KLS