|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
DC COMPONENTS
|
5 068
|
3.12
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
400
|
11.73
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
DIOTEC
|
3 000
|
3.20
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
KOREA ELECTRONICS CORPORATION
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
FSC
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
KEC AMERICA (USD)
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
|
28 067
|
1.30
>100 шт. 0.65
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
26
|
9.69
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
CJ
|
4
|
2.18
|
|
|
|
КР580ВВ55А |
|
Микросхема программируемое устройство ввода/вывода параллельной информации, ...
|
|
56
|
129.60
|
|
|
|
КР580ВВ55А |
|
Микросхема программируемое устройство ввода/вывода параллельной информации, ...
|
КИЕВ
|
|
|
|
|
|
КР580ВВ55А |
|
Микросхема программируемое устройство ввода/вывода параллельной информации, ...
|
ДНЕПР
|
|
|
|
|
|
КР580ВВ55А |
|
Микросхема программируемое устройство ввода/вывода параллельной информации, ...
|
ЗБАРАЖ
|
8
|
70.00
|
|
|
|
КР580ВВ55А |
|
Микросхема программируемое устройство ввода/вывода параллельной информации, ...
|
РОДОН
|
172
|
90.00
|
|
|
|
КР580ВВ55А |
|
Микросхема программируемое устройство ввода/вывода параллельной информации, ...
|
КВАЗАР
|
|
|
|
|
|
КР580ВВ55А |
|
Микросхема программируемое устройство ввода/вывода параллельной информации, ...
|
КВАНТОР
|
|
|
|
|
|
КР580ВВ55А |
|
Микросхема программируемое устройство ввода/вывода параллельной информации, ...
|
ХЕРСОН
|
|
|
|
|
|
КР580ВВ55А |
|
Микросхема программируемое устройство ввода/вывода параллельной информации, ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КР580ВГ75 |
|
|
|
378
|
127.50
|
|
|
|
КР580ВГ75 |
|
|
ЭЛЕКТРОПРИБОР
|
|
|
|
|
|
КР580ВГ75 |
|
|
ФРЯЗИНО
|
|
|
|
|
|
КР580ВМ80А |
|
Параллельное центральное 8-разрядное процессорное устройство с фиксированной системой ...
|
|
91
|
142.80
|
|
|
|
КР580ВМ80А |
|
Параллельное центральное 8-разрядное процессорное устройство с фиксированной системой ...
|
ДНЕПР
|
|
|
|
|
|
КР580ВМ80А |
|
Параллельное центральное 8-разрядное процессорное устройство с фиксированной системой ...
|
ЗБАРАЖ
|
|
|
|
|
|
КР580ВМ80А |
|
Параллельное центральное 8-разрядное процессорное устройство с фиксированной системой ...
|
РОДОН
|
|
|
|
|
|
КР580ВМ80А |
|
Параллельное центральное 8-разрядное процессорное устройство с фиксированной системой ...
|
КВАНТОР
|
|
|
|
|
|
КР580ВМ80А |
|
Параллельное центральное 8-разрядное процессорное устройство с фиксированной системой ...
|
ХЕРСОН
|
|
|
|
|
|
НР1-4-9М-0,125-4,7 КОМ-5% |
|
Сборка резисторная 4.7кОм, 0.125Вт, 5%
|
|
406
|
10.56
|
|