PHB66NQ03LT
N-channel trenchmos (tm) logic level fet
|
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | TrenchMOS™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.5 mOhm @ 25A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 66A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 12nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 860pF @ 25V |
| Power - Max | 93W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | D2PAK |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
PHB66NQ03LT (MOSFET) N-channel TrenchMOS (tm) logic level FET
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 900M-T-K | SOLOMON |
|
|
|||||
| 900M-T-K | 304 | 42.84 | ||||||
| 900M-T-K | <> |
|
|
|||||
| 900M-T-K | КИТАЙ |
|
|
|||||
| 900M-T-K | YH |
|
|
|||||
| ADP3110AKRZ-RL | ONS |
|
|
|||||
| ADP3110AKRZ-RL | ON SEMICONDUCTOR | 460 |
|
|||||
| ADP3110AKRZ-RL | ON Semiconductor |
|
|
|||||
| AP70T03GH | ADVANCED POWER ELECT. CORP |
|
|
|||||
| AP70T03GH | ADVANCED POWER ELECT. CORP | 2 347 |
|
|||||
| AP70T03GH |
|
|
||||||
| HIP6601BCBZ | INTERSIL |
|
|
|||||
| HIP6601BCBZ | INTERSIL | 44 |
|
|||||
| HIP6601BCBZ |
|
|
||||||
 |
 |
NTB90N02 |
|
Power mosfet 90 amps, 24 volts n?channel d2pak | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
